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VS-1N1187RA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：DO-203AB，DO-5，接線柱類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE GEN PURP 300V 40A DO203AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N1187	文件：703.86 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom50to300VVRRM ?NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1187	文件：407.24 Kbytes Page：2 Pages	DEVICEHIGHPOWERSTANDARD Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto1000V	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
1N1187	文件：556.27 Kbytes Page：2 Pages	StandardRecoveryDiode,35A Features ?Glasspassivateddie ?Lowforwardvoltagedrop ?Highsurgecapability ?Lowleakagecurrent ?NormalandReversepolarity ?MetricandUNFthreadsavailable	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
1N1187	文件：297.27 Kbytes Page：8 Pages	PowerSiliconRectifierDiodes,35A/40A/60A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
1N1187	文件：298.56 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier ?GlassPassivatedDie ?800Asurgerating ?Glasstometalconstruction ?VRRMto1000V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N1187	文件：377.04 Kbytes Page：5 Pages	35,40,and60AmpPowerSiliconRectifierDiodes 35,40,and60AmpPowerSiliconRectifierDiodes	IRF International Rectifier	IRF
1N1187	文件：274.18 Kbytes Page：6 Pages	PowerSiliconRectifierDiodes,35A/40A/60A DESCRIPTION/FEATURES ?Lowleakagecurrentseries ?Goodsurgecurrentcapabilityupto1000A ?Canbesuppliedtomeetstringentmilitary,aerospaceandotherhighreliabilityrequirements ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
1N1187	文件：132.23 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1187	文件：770.26 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1187	文件：722.79 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1187	文件：124.01 Kbytes Page：3 Pages	STANDARDRECOVERYRECTIFIER STANDARDRECOVERYRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N1187	文件：128.81 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier ?GlassPassivatedDie ?800Asurgerating ?Glasstometalconstruction ?VRRMto1000V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1187A	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUMPNPTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
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1N1187A	文件：555.32 Kbytes Page：2 Pages	StandardRecoveryDiode,40A	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
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1N1187A	文件：147.41 Kbytes Page：1 Pages	STUDMOUNTEDPOWERRECTIFIERS SiliconPowerRectifier ?GlassPassivatedDie ?800Asurgerating ?Glasstometalconstruction ?VRRMto1000V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
VS-1N1187RA
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
包裝：
散裝
二極管類型：
標(biāo)準(zhǔn)型，反極性
電流 - 平均整流 (Io)：
40A
速度：
標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
安裝類型：
底座，接線柱安裝
封裝/外殼：
DO-203AB，DO-5，接線柱
供應(yīng)商器件封裝：
DO-203AB（DO-5）
工作溫度 - 結(jié)：
-65°C ~ 200°C
描述：
DIODE GEN PURP 300V 40A DO203AB

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市科雨電子有限公司	VS-1N1187RA	VISHAY	1809+	DO-203	326	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	VS-1N1187RA	Vishay General Semiconductor -	24+	DO-203AB(DO-5)	9350	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
上海金慶電子技術(shù)有限公司	VS-1N1188	VishayPCS	新		9	全新原裝貨期兩周	詢價
上海市鑫鴻達電子	VS-1N1188	Vishay PCS	2022+		5	全新原裝貨期兩周	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	VS-1N1188A	VISHAY(威世)	23+	DO203AB	7350	現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!!	詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	VS-1N1188A		24+	N/A	56000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價

更多VS-1N1187RA供應(yīng)商更新時間2021-9-14 10:50:00

產(chǎn)品屬性

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