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VS-GT100TP60N_V02

Half Bridge IGBT Power Module, 600 V, 100 A

FEATURES ?LowVCE(on)trenchIGBTtechnology ?5μsshortcircuitcapability ?VCE(on)withpositivetemperaturecoefficient ?Maximumjunctiontemperature175°C ?Lowinductancecase ?FastandsoftreverserecoveryantiparallelFWD ?IsolatedcopperbaseplateusingDCB(directcopper b

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多VS-GT100TP60N_V02供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-14 14:23:00