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VS-GT100TP60N_V02中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VS-GT100TP60N_V02
廠商型號

VS-GT100TP60N_V02

功能描述

Half Bridge IGBT Power Module, 600 V, 100 A

文件大小

188.33 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載

更新時間

2024-11-8 19:00:00

VS-GT100TP60N_V02規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low VCE(on) trench IGBT technology

? 5 μs short circuit capability

? VCE(on) with positive temperature coefficient

? Maximum junction temperature 175 °C

? Low inductance case

? Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD

? Isolated copper baseplate using DCB (direct copper

bonding) technology

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

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