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2N5551B

GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

2N5551BU

NPN General-Purpose Amplifier

Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposehigh-voltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2N5551BU

NPN General-Purpose Amplifier

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2N5551BU

Package:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA);包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N5551C

GENERALPURPOSETRANSISTORS

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

2N5551C

TO-92PACKAGE

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

2N5551C

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,HIGHVOLTAGE)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES ?HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=180V,VCEO=160V ?LowLeakageCurrent. :ICBO=50nA(Max.),VCB=120V ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.2V(Max.),IC=50mA,IB=5mA ?LowNoise:NF=8dB(Max.)

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

2N5551CN

NPNSiliconTransistor

Descriptions ?Generalpurposeamplifier ?Highvoltageapplication Features ?Highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=180V,VCEO=160V ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(MAX.)

AUK

AUK corp

2N5551CSM

HIGHVOLTAGENPNSWITCHINGTRANSISTORINA

FEATURES ?SILICONPLANAREPITAXIALNPNTRANSISTOR ?HERMETICCERAMICSURFACEMOUNTPACKAGE(SOT23COMPATIBLE) ?CECCSCREENINGOPTIONS APPLICATIONS: Hermeticallysealedsurfacemount2N5551forhighreliability/spaceapplicationsrequiringsmallsizeandlowweightdevices.

SEME-LAB

Seme LAB

2N5551DCSM

DualBipolarNPNDevicesinahermeticallysealed

DualBipolarNPNDevices. VCEO=160V IC=0.6A

SEME-LAB

Seme LAB

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    2N5551B

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2N5551B供應(yīng)商 更新時間2025-2-14 9:42:00