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2N6667_05中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N6667_05
廠商型號

2N6667_05

功能描述

Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60??0 V, 65 W

文件大小

80.83 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-3 23:00:00

2N6667_05規(guī)格書詳情

Darlington Silicon Power Transistors

Designed for general?purpose amplifier and low speed switching applications.

? High DC Current Gain ?

hFE = 3500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc

? Collector?Emitter Sustaining Voltage ? @ 200 mAdc

VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) ? 2N6667

= 80 Vdc (Min) ? 2N6668

? Low Collector?Emitter Saturation Voltage ?

VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max)@ IC = 5.0 Adc

? Monolithic Construction with Built?In Base?Emitter Shunt Resistors

? TO?220AB Compact Package

? Complementary to 2N6387, 2N6388

? Pb?Free Packages are Available*

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