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零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
2SA1162	文件：86.92 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPEpitaxialTypeTransistor ■Features ●Highvoltageandhighcurrent ●HighhFE:hFE=70~400 ●Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max) ●Complementaryto2SC2712	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SA1162	文件：312.92 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES .Lownoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) .Complementaryto2SC2712. .SmallPackage. MARKING:SO,SY,SG	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
2SA1162	文件：332.12 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1162	文件：324.09 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES ?LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) ?Complementsofthe2SC2712 MECHANICALDATA ?Case:SOT-23,MoldedPlastic ?Weight:0.008grams(approx.)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1162	文件：69.45 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:150mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:150mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:-50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA1162	文件：104.56 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：270.47 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lownoise:NF=1dB(Typ),10dB(Max). ●Commplementaryto2SC2712. ●Smallpackage. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
2SA1162	文件：391.18 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：153.83 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：699.19 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highvoltageandcurrent,excellenthFElinearity,highhFE,lownoise,complementaryto2SC2712. Applications Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SA1162	文件：200.74 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lownoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) Complementaryto2SC2712. SmallPackage.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
2SA1162	文件：98.23 Kbytes Page：1 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR LOWFREQRENCY,LOWNOISEAMPLIFIER ?Complemento2SC2712 ?Collector-current:Ic=-100mA Collector-EmillerVoltage:VCE=-45V	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SA1162	文件：222.34 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES PNPGeneralPurposeTransistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壯桂微電子有限責(zé)任公司	GSME
2SA1162	文件：1.11548 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lownoise ●Complementaryto2SC2712 ●SmallPackage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SA1162	文件：189.37 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：195.07 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
2SA1162	文件：178.67 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	NewJerseySemi-ConductorProducts, NewJerseySemi-ConductorProducts	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
2SA1162	文件：639.74 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors ■Features ●Highvoltageandhighcurrent ●HighhFE:hFE=70~400 ●Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max) ●Complementaryto2SC2712	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
2SA1162	文件：410.41 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPEpitaxialTypeTransistor	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH

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詳細參數(shù)

型號：
2SA1162O
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SA1162O	NEC	24+		30000		詢價
深圳市弘為電子有限公司	2SA1162-O	TOSHIBA	16+	SOT-23	1850	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市鵬和科技有限公司	2SA1162-O	TOSHIBA	24+	SOT-23	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市振宏微科技有限公司	2SA1162-O	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	2SA1162-O	Toshiba	22+23+	Sot-23	27751	絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	2SA1162-O	TOSHIBA/東芝	1926+	SOT-23	6852	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	2SA1162-O	原裝TOSHIBA	2023+	SOT-23	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	2SA1162-O	TOSHIBA/東芝	23+	SOT-23	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳廊盛科技有限公司	2SA1162-O	TOSHIBA/東芝	2022	SOT-23	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	2SA1162-O		TOSHIBA	SOT-23SC-59	608900	原包原標(biāo)簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價

更多2SA1162O供應(yīng)商更新時間2024-12-29 14:30:00

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