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2SB1188	文件：483.3 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(-32V,-2A) FEATURES LowVCE(SAT)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A). Complementarythe2SD1766. APPLICATIONS Epitaxialplanartype. PNPsilicontransistor.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SB1188	文件：134.9 Kbytes Page：4 Pages	MediumpowerTransistor(32V,2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1188	文件：93.7 Kbytes Page：4 Pages	MediumpowerTransistor(-32V,-2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1188	文件：128.24 Kbytes Page：5 Pages	EpitaxialPlanarPNPTransistors EpitaxialPlanarPNPTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SB1188	文件：343.91 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1188	文件：261.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMPOWERLOWVOLTAGETRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SB1188	文件：1.64063 Mbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat). ●Complementsthe2SD1766	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
2SB1188	文件：531.59 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.5V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.2A) ●Complementsthe2SD1766 ●Weight:0.05g ●RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威倫威倫電子股份有限公司	WILLAS
2SB1188	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(32V,2A) Mediumpowertransistor(?32V,?2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=?0.5V(Typ.) (IC/IB=?2A/?0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1188	文件：134.44 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SB1188	文件：147 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat). FEATURES ?LowVCE(sat). ?Complementsthe2SD1766	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半導體美科半導體股份（香港）有限公司	MAKOSEMI
2SB1188	文件：177.12 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor FEATURES ●LowVCE(SAT)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A). ●Complementarythe2SD1766. APPLICATIONS ●Epitaxialplanartype. ●PNPsilicontransistor.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
2SB1188	文件：1.20419 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat). ●Complementsthe2SD1766	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SB1188	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(32V,2A) Mediumpowertransistor(?32V,?2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=?0.5V(Typ.) (IC/IB=?2A/?0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1188	文件：218.08 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ?LowVCE(sat). ?Complementsthe2SD1766	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
2SB1188	文件：781.59 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),complementsthe2SD1766. Applications Mediumpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SB1188	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUMPOWERTRANSISTOR(-32V,-2A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1188	文件：327.11 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat). ●Complementsthe2SD1766	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司	HTSEMI
2SB1188	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(-32V,-2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=?0.5V(Typ.) (IC/IB=?2A/?0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1188	文件：638.55 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconMediumPowerTransistor DESCRIPTION The2SB1188isdesignedformediumpoweramplifierapplications. FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=-0.5V(Typ.) ●RoHSCompliantProduct	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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更多2SB1188-Q-TP-HF供應(yīng)商更新時間2025-1-7 15:30:00

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