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2SB1197

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Smallsurfacemountingtype. ●Corredtorpeakcurrent(Max.=1000mA). ●Suitableforhighpackingdensity. ●Lowvoltage(Max.=40v). ●Highsaturationcurrentcapability. ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATIONS ●Telephoneandprofessionalcommunicationequipment. ●

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

2SB1197

PNPEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ?LowVCE(sat).VCE(sat)≦-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA) ?IC=-0.8A ?Complementsofthe2SD1781

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SB1197

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?SmallPackage ?Mounting:anyposition ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

2SB1197

PNPEpitaxialPlanarTransistor

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SB1197

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES ?LowVCE(sat).VCE(sat)

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

2SB1197

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ?LowVCE(sat).VCE(sat)

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SB1197

LowFrequencyTransistor

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

2SB1197

Telephoneandprofessionalcommunicationequipment.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

2SB1197

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

2SB1197/K-Q

PNPTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SB1197A

PNPLowVce(sat)Transistor

Features ?SiliconPNPepitaxialtype ?LowVce(sat)-0.5V(max)@Ic/Ib=-2A/-200mA ?Highcollectorcurrentcapability ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective. ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std. (HalogenFree)

PANJITPan Jit International Inc.

強茂股份有限公司

2SB1197K

LowFrequencyTransistor(-32V,-0.8A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SB1197K

LowFrequencyTransistor

FEATURES ?LowVCE(sat).VCE(sat)≦-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA) ?IC=-0.8A

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SB1197K

LowFrequencyTransistor

Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)≤-0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA). ●IC=-0.8A. ●PNPsilicontransistor

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

2SB1197K

PNPEpitaxialPlanarTransistor

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SB1197K

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES PowerdissipationPCM:200mW(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-800mA Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

2SB1197K

LowFrequencyTransistor(32V,0.8A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SB1197K

LowFrequencyTransistor(32V,0.8A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SB1197K

SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage

Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),complementsthe2SD1781K. Applications Lowfrequencyamplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

2SB1197K

LowFrequencyTransistor(-32V,-0.8A)

Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)≤0.5V(IC/IB=-0.5A/-50mA?) 2)IC=-0.8A. 3)Complementsthe2SD1781K.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Micro Commercial Co
24+
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3
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獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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ROHM/羅姆
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SOT-23
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更多2SB1197-R-TP供應商 更新時間2025-1-8 14:32:00