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2SB1386	文件：51.74 Kbytes Page：1 Pages	LowFrequencyTransistor Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SB1386	文件：139.65 Kbytes Page：5 Pages	Lowfrequencytransistor(−20V,−5A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1386	文件：200.91 Kbytes Page：5 Pages	LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SB1386	文件：151.05 Kbytes Page：6 Pages	EpitaxialPlanarTransistorPNPSilicon EpitaxialPlanarTransistor PNPSilicon	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SB1386	文件：107.17 Kbytes Page：5 Pages	LowFrequencyTransistor(-20V,-5A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2098/2SD2118/2SD2097/2SD2166.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1386	文件：178.8 Kbytes Page：5 Pages	LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SB1386	文件：512.83 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconLowFrequencyTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1386	文件：396.36 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage, ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司	HTSEMI
2SB1386	文件：112.23 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconLowFrequencyTransistor FEATURES ●LowVCE(sat) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ●Complementsthe2SD2098	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1386	文件：1.55454 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SB1386	文件：192.09 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ?Lowcollectorsaturationvoltage, ?Execllentcurrent-to-gaincharacteristics	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
2SB1386	文件：474.45 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫電子股份有限公司	WILLAS
2SB1386	文件：185.79 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●LowVCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A). ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. ●Complementary:2SD2098. APPLICATIONS ●Lowfrequencytransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀微電子常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
2SB1386	文件：1.95535 Mbytes Page：4 Pages	Lowcollectorsaturationvoltage FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
2SB1386	文件：862.72 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentDCcurrentgain,complementsthe2SD2098. Applications Generalpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SB1386	文件：1.7226 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lowcollectorsaturationvoltage Execllentcurrent-to-gaincharacteristics	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SB1386	文件：490.25 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES LowVCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A). ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. Complementary:2SD2098. APPLICATIONS Lowfrequencytransistor.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SB1386	文件：786.02 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風微電子廣東佑風微電子有限公司	YFWDIODE
2SB1386-P	文件：786.02 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風微電子廣東佑風微電子有限公司	YFWDIODE
2SB1386-P	文件：376.17 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors Features ?LowCollectorSaturationVoltage ?Execllentcurrent-to-gaincharacteristics ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Halogenfreeavailableupon	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC

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