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2SC3356F	文件：349.79 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ?LownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. ?LowNoiseandHighGain ?HighPowerGain	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC3356-G	文件：134.19 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor Features -Lownoiseandhighgain. -Highpowergain. -Designedforlownoiseamplifier.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
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2SC3356W	文件：653.15 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SC3356W	文件：164.95 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lownoiseandhighgain:NF=1.1dBTYP, Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain:MAG=13dBTYP. @VCE=10V.IC=20mA,f=1.0GHz APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN

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