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2SC3356W	文件：164.95 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lownoiseandhighgain:NF=1.1dBTYP, Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain:MAG=13dBTYP. @VCE=10V.IC=20mA,f=1.0GHz APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN

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