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2SD2150-S-TP

包裝:帶盒(TB) 封裝/外殼:TO-243AA 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 20V 3A SOT89

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

2SD2150

LowFrequencyTransistor(20V,3A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=2A/0.1A) 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SD2150

LOWFREQUENCYTRANSISTER(20V,3A)

FEATURES LowVCE(sat):VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=2A/0.1A). Excellentcurrentgaincharacteristics. Complementsthe2SB1424.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SD2150

LOWFREQUENCYTRANSISTER

FEATURES ●LowVCE(sat):VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A). ●Excellentcurrentgaincharacteristics. ●Complementsthe2SB1424.

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

2SD2150

SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage

Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentcurrentgaincharacteristic,Complementaryto2SB1424. Applications Generalpurposeamplifier.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

2SD2150

LowFrequencyTransistor(20V,3A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SD2150

NPNPlasticEncapsulatedTransistor

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SD2150

NPNPlastic-EncapsulateTransistor

FEATURES ?ExcellentCurrent-to-GainCharacteristics ?LowCollectorSaturationVoltage, ?VCE(SAT)=0.5V(Max.)forIC/IB=2A/0.1A

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SD2150

LowFrequencyTransistor

■Features ●Excellentcurrent-to-gaincharacteristics ●LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) ●Complementaryto2SB1412

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SD2150

NPNEpitaxialPlanarTransistors

NPNEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

2SD2150

TRANSISTORNPN)

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5WTamb=25°C Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°Cto+150°C

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SD2150

LowFrequencyTransistor(20V,3A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=2A/0.1A) 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SD2150

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Excellentcurrent-to-gaincharacteristics LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) VCE(sat)=0.5V(max)forIC/IB=2A/0.1A

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

2SD2150

NPNGeneralusetransistor

FEATURES Powerdissipation PCM:0.5WTamb=25°C Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°Cto+150°C

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

2SD2150

LowFrequencyTransistor(20V,3A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=2A/0.1A) 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SD2150

NPNTransistors

■Features ●Excellentcurrent-to-gaincharacteristics ●LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) ●Complementaryto2SB1412

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

2SD2150-R

NPNTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SD2150-R

NPNTransistors

■Features ●Excellentcurrent-to-gaincharacteristics ●LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) ●Complementaryto2SB1412

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

2SD2150-R

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?Excellentcurrent-to-gaincharacteristics ?LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) ?LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrati

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

2SD2150-S

NPNTransistors

■Features ●Excellentcurrent-to-gaincharacteristics ●LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) ●Complementaryto2SB1412

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SD2150-S-TP

  • 制造商:

    Micro Commercial Co

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 100mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    270 @ 100mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    290MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝:

    SOT-89

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 3A SOT89

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Micro Commercial Co
2022+
-
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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Micro Commercial Co
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更多2SD2150-S-TP供應商 更新時間2025-1-14 8:24:00