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2SD2150	文件：113.77 Kbytes Page：3 Pages	LowFrequencyTransistor(20V,3A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) （IC/IB=2A/0.1A） 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SD2150	文件：799.43 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentcurrentgaincharacteristic,Complementaryto2SB1424. Applications Generalpurposeamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SD2150	文件：167.26 Kbytes Page：3 Pages	LowFrequencyTransistor(20V,3A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SD2150	文件：313.36 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD2150	文件：285.08 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistor FEATURES ?ExcellentCurrent-to-GainCharacteristics ?LowCollectorSaturationVoltage, ?VCE(SAT)=0.5V(Max.)forIC/IB=2A/0.1A	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD2150	文件：35.72 Kbytes Page：1 Pages	LowFrequencyTransistor ■Features ●Excellentcurrent-to-gaincharacteristics ●LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) ●Complementaryto2SB1412	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SD2150	文件：216.44 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistors NPNEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SD2150	文件：24.22 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTORNPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5WTamb=25°C Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°Cto+150°C	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SD2150	文件：100.07 Kbytes Page：4 Pages	LowFrequencyTransistor(20V,3A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) （IC/IB=2A/0.1A） 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SD2150	文件：249.03 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Excellentcurrent-to-gaincharacteristics LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) VCE(sat)=0.5V(max)forIC/IB=2A/0.1A	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
2SD2150	文件：373.11 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralusetransistor FEATURES Powerdissipation PCM:0.5WTamb=25°C Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°Cto+150°C	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
2SD2150	文件：113.77 Kbytes Page：3 Pages	LowFrequencyTransistor(20V,3A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) （IC/IB=2A/0.1A） 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SD2150	文件：583.81 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors ■Features ●Excellentcurrent-to-gaincharacteristics ●LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) ●Complementaryto2SB1412	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
2SD2150	文件：498.07 Kbytes Page：4 Pages	LOWFREQUENCYTRANSISTER(20V,3A) FEATURES LowVCE(sat):VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=2A/0.1A). Excellentcurrentgaincharacteristics. Complementsthe2SB1424.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SD2150	文件：193.68 Kbytes Page：4 Pages	LOWFREQUENCYTRANSISTER FEATURES ●LowVCE(sat):VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A). ●Excellentcurrentgaincharacteristics. ●Complementsthe2SB1424.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
2SD2150-R	文件：725.69 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?Excellentcurrent-to-gaincharacteristics ?LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) ?LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrati	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
2SD2150-R	文件：1.18967 Mbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SD2150-R	文件：583.81 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors ■Features ●Excellentcurrent-to-gaincharacteristics ●LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) ●Complementaryto2SB1412	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
2SD2150-S	文件：725.69 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?Excellentcurrent-to-gaincharacteristics ?LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) ?LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrati	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
2SD2150-S	文件：1.18967 Mbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	2SD2150RU		24+	N/A	73000	一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價格-不悔選擇	詢價
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SD2150S	ROHM	24+	SOT-89	10200	新進(jìn)庫存/原裝	詢價
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深圳市明嘉萊科技有限公司	2SD2150S	ROHM/羅姆	24+	SOT89	990000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
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深圳市弘為電子有限公司	2SD2150-S	ROHM	16+	SOT-89	918	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
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深圳市粵駿騰電子科技有限公司	2SD2150-S	POWER	24+	89	16000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價

更多2SD2150RU供應(yīng)商更新時間2025-1-9 11:06:00

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