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50N06-Q	文件：215.93 Kbytes Page：6 Pages	50A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET ?DESCRIPTION TheUTC50N06-QisahighvoltagepowerMOSFETdesigned tohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgate charge,lowon-stateresistanceandhighruggedavalanche characteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedinhighspeed switchingapplicationsofswit	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
AP50N06F	文件：1.38924 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi50A,60VInsualtedPlanarN-ChannelPowerMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
AP50N06P	文件：1.45994 Mbytes Page：6 Pages	50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
B50N06	文件：808.18 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
B50N06	文件：808.72 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
B50N06	文件：807.77 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
B50N06	文件：812.59 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
B50N06	文件：807.99 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
B50N06	文件：808.45 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
BR50N06	文件：1.14718 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BR50N06	文件：1.45994 Mbytes Page：6 Pages	50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
BR50N06	文件：1.22906 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
BRB50N06	文件：762.78 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BRD50N06	文件：1.01448 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEB50N06	文件：391.29 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,50A,RDS(ON)=17mΩ(typ)@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB50N06	文件：636.35 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,50A,RDS(ON)=22mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB50N06G	文件：587.93 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,55A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED50N06	文件：883.06 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,36A,RDS(ON)=18m?(typ)@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED50N06	文件：423.6 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,36A,RDS(ON)=18mW(typ)@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED50N06G	文件：508.65 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,40A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	50N06TO220	VBsemi/臺灣微碧	21+	TO220AB	37251	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司	50N06TO220	VBsemi/臺灣微碧	22+	TO220AB	32350	原裝正品假一罰十公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	50N06TO220	VBSEMI/臺灣微碧	23+	TO220AB	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	50N06TO220		VB	TO220AB	608900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價
深圳市智創(chuàng)誠芯電子科技有限公司	50N06TO220	VBsemi	22+	TO220	25000	原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠,假一罰十	詢價
深圳廊盛科技有限公司	50N06TO220	VBSEMI/臺灣微碧	22+	TO220AB	50000	只做原裝假一罰十,歡迎咨詢	詢價
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	50N06TO220	VBsemi	21+	TO220	10065	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	50N06TO220	VBsemi	2207+	TO220	5345	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
深圳市宏興瑞科技有限公司	50N06TO220	VBsemi	23+	TO220	10000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	50N06TO220F	VBsemi	23+	TO220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價

更多50N06-Q供應(yīng)商更新時間2024-11-5 17:24:00

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