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71T75602S133BGGI中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

71T75602S133BGGI
廠商型號(hào)

71T75602S133BGGI
參數(shù)屬性

71T75602S133BGGI 封裝/外殼為119-BGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA
功能描述

2.5V Synchronous ZBT SRAMs I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
文件大小

260.17 Kbytes
頁面數(shù)量

26 頁
生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-15 18:30:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    71T75602S133BGGI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲(chǔ)容量：

    18Mb（512K x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    2.375V ~ 2.625V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    119-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    119-PBGA（14x22）

  • 描述：

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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