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71T75902S85BGG8

1M x 18 2.5V Synchronous ZBT? SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs

Features ◆1Mx18memoryconfiguration ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRITE)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71T75902S85BGG8

2.5V Synchronous ZBT SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71T75902S85BGG8

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:119-BGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    71T75902S85BGG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR(ZBT)

  • 存儲(chǔ)容量:

    18Mb(1M x 18)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    2.375V ~ 2.625V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    119-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    119-PBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多71T75902S85BGG8供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-14 15:00:00