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71V016SA10YG

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V016SA10YG

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA10YG

Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V016SA10YG8

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V016SA10YG8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA10YGI

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA10YGI8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA10YG8

Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V016SA10BF

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V016SA10BFG

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V016SA10YG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    1Mb（64K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3.15V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    44-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT, Integrated Device Technol
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更多71V016SA10YG供應商 更新時間2025-3-3 14:57:00

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