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71V016SA12PHGI

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V016SA12PHGI

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA12PHGI

Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V016SA12PHGI8

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V016SA12PHGI8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA12PHGI8

Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V016SA12YG

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V016SA12YG

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA12YGI

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V016SA12YGI

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    71V016SA12PHGI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Mb（64K x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    12ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    44-TSOP II

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IDT
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原廠直供,支持賬期,免費(fèi)供樣,技術(shù)支持
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IDT, Integrated Device Technol
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更多71V016SA12PHGI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-3 13:37:00

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