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AFGY120T65SPD-B4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
AFGY120T65SPD-B4 |
參數(shù)屬性 | AFGY120T65SPD-B4 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT FS3 120A 650V TO247-3 |
功能描述 | Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode and VCESAT, VTH Binning |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | TO-247-3LD / TO-247-3 |
文件大小 |
1.60511 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-22 23:00:00 |
AFGY120T65SPD-B4規(guī)格書詳情
AFGY120T65SPD-B4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的AFGY120T65SPD-B4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
AFGY120T65SPD-B4
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
散裝
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
1.85V @ 15V,120A
- 開關(guān)能量:
6.8mJ(開),3.5mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
53ns/102ns
- 測試條件:
400V,120A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT FS3 120A 650V TO247-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
TO-247 |
928 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價 | ||
ON Semiconductor |
23+ |
SMD |
190 |
全新原裝假一賠十 |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO2473 |
6000 |
誠信服務(wù),絕對原裝原盤 |
詢價 | ||
ON/ |
24+ |
NA |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
EVERLIGHT |
23+ |
NA |
39960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
MURATA/村田 |
23+ |
NA |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ONSEMI |
兩年內(nèi) |
N/A |
2 |
原裝現(xiàn)貨,實單價格可談 |
詢價 | ||
MICROCHIP |
24+ |
35884 |
詢價 | ||||
ONSEMI |
22 |
SOP12 |
1599000 |
全新、原裝 |
詢價 | ||
MICROCHIP |
22+ |
QFN-8P |
8200 |
原裝現(xiàn)貨庫存.價格優(yōu)勢!! |
詢價 |