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AFGY120T65SPD-B4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

AFGY120T65SPD-B4
廠商型號

AFGY120T65SPD-B4

參數(shù)屬性

AFGY120T65SPD-B4 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT FS3 120A 650V TO247-3

功能描述

Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode and VCESAT, VTH Binning
IGBT FS3 120A 650V TO247-3

絲印標(biāo)識

AFGY120T65SPDA

封裝外殼

TO-247-3LD / TO-247-3

文件大小

1.60511 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-22 23:00:00

AFGY120T65SPD-B4規(guī)格書詳情

AFGY120T65SPD-B4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的AFGY120T65SPD-B4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    AFGY120T65SPD-B4

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,120A

  • 開關(guān)能量:

    6.8mJ(開),3.5mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    53ns/102ns

  • 測試條件:

    400V,120A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT FS3 120A 650V TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
23+
TO-247
928
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
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ON Semiconductor
23+
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190
全新原裝假一賠十
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onsemi(安森美)
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TO2473
6000
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