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ARV10N12

Package:模塊,引腳觸點;包裝:卷帶(TR) 類別:RF/IF,射頻/中頻和 RFID 射頻開關(guān) 描述:IC RF SWITCH SPDT 8GHZ

Panasonic Electric Works

Panasonic Electric Works

Panasonic Electric Works

ARV10N12Q

Package:模塊,引腳觸點;包裝:卷帶(TR) 類別:RF/IF,射頻/中頻和 RFID 射頻開關(guān) 描述:IC RF SWITCH SPDT 8GHZ

Panasonic Electric Works

Panasonic Electric Works

Panasonic Electric Works

MTM10N12L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTP10N12L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

RFM10N12

N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

RFM10N12

N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

RFM10N12

N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS

N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice

GESS

GE Solid State

RFP10N12

N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

RFP10N12

N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

RFP10N12

N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS

N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice

GESS

GE Solid State

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    ARV10N12

  • 制造商:

    Panasonic Electric Works

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻開關(guān)

  • 系列:

    ARV

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 射頻類型:

    通用

  • 拓?fù)洌?/span>

    反射

  • 電路:

    SPDT

  • 頻率范圍:

    0Hz ~ 8GHz

  • 隔離:

    60dB(最?。?/p>

  • 插損:

    0.4dB(最大)

  • 測試頻率:

    8GHz

  • 阻抗:

    50 歐姆

  • 電壓 - 供電:

    12V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼:

    模塊,引腳觸點

  • 描述:

    IC RF SWITCH SPDT 8GHZ

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更多ARV10N12供應(yīng)商 更新時間2025-1-25 11:00:00