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ATMLH730	文件：435.31 Kbytes Page：21 Pages	3-wire Serial EEPROM Features Low-voltageOperation ?VCC=1.8Vto5.5V User-selectableInternalOrganization ?1K:128x8or64x16 3-wireSerialInterface 2MHzClockRate(5V) Self-timedWriteCycle(5msMax) HighReliability ?Endurance:1,000,000WriteCycles ?DataRetention:100Years 8-lead	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
B730	文件：1.76217 Mbytes Page：12 Pages	6A400VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
BB730	文件：337.56 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYDIODES [ITTComponents] SCHOTTKYDIODES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
BFU730F	文件：136.85 Kbytes Page：12 Pages	NPNwidebandsilicongermaniumRFtransistor Generaldescription NPNsilicongermaniummicrowavetransistorforhighspeed,lownoiseapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Fpackage. Featuresandbenefits ■Lownoisehighgainmicrowavetransistor ■Noisefigure(NF)=0.8dBat5.8GHz ■Highmaximumpowergain18.5dBat	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFU730F	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFU730FWB	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFU730LX	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLV730	文件：509.5 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
BPF-A730	文件：495.71 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
BT730	文件：353.26 Kbytes Page：3 Pages	Class1Bluetoothv2.0Module	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BT730	文件：1.65793 Mbytes Page：31 Pages	modulefromLairdTechnologiesisdesignedtoaddrobust,long-rangeBluetoothdataconnectivitytoanydevice	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BT730-SA	文件：353.26 Kbytes Page：3 Pages	Class1Bluetoothv2.0Module	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BT730-SA	文件：1.65793 Mbytes Page：31 Pages	modulefromLairdTechnologiesisdesignedtoaddrobust,long-rangeBluetoothdataconnectivitytoanydevice	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BT730-SC	文件：1.65793 Mbytes Page：31 Pages	modulefromLairdTechnologiesisdesignedtoaddrobust,long-rangeBluetoothdataconnectivitytoanydevice	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BT730-SC	文件：353.26 Kbytes Page：3 Pages	Class1Bluetoothv2.0Module	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BTS730	文件：49.97 Kbytes Page：7 Pages	PWMPowerUnit(Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads.) PWMPowerUnit Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads. ?Highsideswitch ?Overtemperaturprotection ?Shortcircuit/overloadprotectionthroughpulsewidthreductionandoverloadshutdown ?Loaddumpprotection ?Undervoltageandovervoltageshutdown	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BTS730	文件：135.82 Kbytes Page：7 Pages	PWMPowerUnit PWMPowerUnit Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads. ●Highsideswitch(Bootstrap) ●Overtemperaturprotection ●Shortcircuit/overloadprotectionthroughpulsewidthreductionandoverloadshutdown ●Loaddumpprotection ●Undervoltageandovervolta	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BTS730	文件：187.57 Kbytes Page：10 Pages	SmartHigh-SidePowerSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
CEB730G	文件：419.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP730G400V1Ω5.5A10V CEB730G400V1Ω5.5A10V CEF730G400V1Ω5.5A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeprod	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB730G	文件：658.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS

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更多ATMLH730供應(yīng)商更新時間2024-11-19 15:52:00

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