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AUIRG4BC30USTRL

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode ?IndustrystandardD2Pak&TO-262package ?Lead-Free,RoHSCompliant ?AutomotiveQualified* Benefits ?TypicalApplications:SMPS,PFC

IRF

International Rectifier

AUIRG4BC30USTRL

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 23A 100W D2PAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AUIRG4BC30USTRR

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode ?IndustrystandardD2Pak&TO-262package ?Lead-Free,RoHSCompliant ?AutomotiveQualified* Benefits ?TypicalApplications:SMPS,PFC

IRF

International Rectifier

G4BC30KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

IRF

International Rectifier

G4BC30UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A)

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-

IRF

International Rectifier

G4BC30W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.70V,@Vge=15V,Ic=12A)

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesign

IRF

International Rectifier

G4BC30W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

G4BC30W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BC30

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A)

Features ?Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-s

IRF

International Rectifier

IRG4BC30

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    AUIRG4BC30USTRL

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，12A

  • 開關(guān)能量：

    160μJ（開），200μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    17ns/78ns

  • 測試條件：

    480V，12A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 600V 23A 100W D2PAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
21+
TO-263
60000
原裝正品進口現(xiàn)貨
 詢價
Infineon Technologies
23+
TO-263
13000
15年原裝正品企業(yè)
 詢價
IR
23+
TO-263
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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Infineon Technologies
21+
D2PAK
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100%進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!
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INFINEON/英飛凌
23+
TO-263
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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Infineon
22+
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更多AUIRG4BC30USTRL供應(yīng)商 更新時間2025-2-15 10:53:00

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