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BDB106

SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIER

RECTRON

Rectron Semiconductor

BFR106

NPN5GHzwidebandtransistor

DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT23envelope.Itisprimarilyintendedforlownoise,generalRFapplications.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BFR106

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiers ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Specialapplication:antennaamplifiers ?Complementarytype:BFR194(PNP)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFR106

NPNSiliconRFTransistor

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?HighlinearitylownoiseRFtransistor ?22dBmOP1dBand31dBmOIP3@900MHz,8V,70mA ?ForUHF/VHFapplications ?Driverformultistageamplifiers ?Forlinearbroadbandandantennaamplifiers ?Collectordesignsupports5Vsupplyvoltage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR106

NPNSiliconRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR106

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR106

SiliconNPNRFTransistor

DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

BFR106

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BFR106

LowNoiseFigure

DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BFR106

NPN5GHzwidebandtransistor

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

晶體管資料

  • 型號：

    BD106(A,B)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    36V

  • 最大電流允許值：

    2.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

    BD109,BD124,BD162,BD243,BDY15,3DA3A,

  • 最大耗散功率：

    11.5W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-8

  • vtest：

    36

  • htest：

    999900

  • atest：

    2.5

  • wtest：

    11.5

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BD106(A,B)供應商 更新時間2025-2-22 17:24:00

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