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BD650-S

Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP DARL 100V 8A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

Bourns Inc.

BFP650

NPNSiliconGermaniumRFTransistor

ProductBrief TheBFP650isahighlinearitywidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4VandcurrentsuptoIC=150mA.With

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP650

NPNSiliconGermaniumRFTransistor

NPNSiliconGermaniumRFTransistor Preliminarydata ?Forhighpoweramplifiers ?Idealforlowphasenoiseoscilators ?Maxim.availableGainGma=21dBat1.8GHz NoisefigureF=0.9dBat1.8GHz ?Goldmetallizationforhighreliability ?70GHzfT-SiliconGermaniumtechnology.

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP650

HighLinearityLowNoiseSiGe:CNPNRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP650

HighLinearitySiliconGermaniumBipolarRFTransistor

ProductBrief TheBFP650isahighlinearitywidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4VandcurrentsuptoIC=150mA.With

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP650F

NPNSiliconGermaniumRFTransistor

LinearLowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor ?Formediumpoweramplifiersanddriverstages ?BasedonInfineonsreliablehighvolumeSilicon Germaniumtechnology ?HighOIP3andP-1dB ?Idealforlowphasenoiseoscilators ?Maxim.availableGainG ma=21.5dBat1.8GHz Mini

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP650F

LinearLowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BG650

EC-motorwithplanetarygearunitforautomaticspindlepositioningcycles

IVOBaomeng Electronics (Shanghai) Co., Ltd

堡盟電子堡盟電子（上海）有限公司

BPF-C650

BandpassFilter

MINI

Mini-Circuits

BPF-C650+

BandpassFilter

MINI

Mini-Circuits

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BD650-S

  • 制造商：

    Bourns Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    2.5V @ 50mA，5A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    750 @ 3A，3V

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS PNP DARL 100V 8A TO220

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
BOURNSINC
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
 詢價
Bourns
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
BOURNSINC
24+
TO-TO-220
12300
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
24+
TO-220
10000
全新
 詢價
ST
23+
TO-220
9896
詢價
ST
2020+
TO-220
4000
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
ST
24+
TO-220
15000
原裝現(xiàn)貨熱賣
 詢價
ST
16+
TO-220
10000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
BOURNS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
ATMEL
23+
QFP
12000
全新原裝假一賠十
 詢價
更多BD650-S供應(yīng)商 更新時間2025-2-28 14:30:00

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