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BFP720FESD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BFP720FESD
廠(chǎng)商型號(hào)

BFP720FESD

參數(shù)屬性

BFP720FESD 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線(xiàn);包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP

功能描述

Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor
RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP

文件大小

1.94228 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

29 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Infineon英飛凌

中文名稱(chēng)

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-3 9:40:00

BFP720FESD規(guī)格書(shū)詳情

BFP720FESD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BFP720FESD晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類(lèi)型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFP720FESDH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    4.7V

  • 頻率 - 躍遷:

    45GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz

  • 增益:

    10dB ~ 29dB

  • 功率 - 最大值:

    100mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    160 @ 15mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線(xiàn)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    4-TSFP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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