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BFP720FESD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFP720FESD
廠商型號

BFP720FESD
參數(shù)屬性

BFP720FESD 封裝/外殼為4-SMD，扁平引線；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP
功能描述

Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP
文件大小

1.63823 Mbytes
頁面數(shù)量

28 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-3 9:30:00

BFP720FESD規(guī)格書詳情

BFP720FESD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BFP720FESD晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    BFP720FESDH6327XTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    4.7V

  • 頻率 - 躍遷：

    45GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz

  • 增益：

    10dB ~ 29dB

  • 功率 - 最大值：

    100mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    160 @ 15mA，3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    30mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    4-TSFP

  • 描述：

    RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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