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BFR | Aerospace Avionic Equipment Geological Exploration | ITT ITT Industries | ITT | |
Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
Low Noise Figure DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
NPN 5 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT23envelope.Itisprimarilyintendedforlownoise,generalRFapplications. | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers For linear broadband amplifiers) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiers ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Specialapplication:antennaamplifiers ?Complementarytype:BFR194(PNP) | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司 | SIEMENS | ||
Marking：R7s；Package：SOT-23；NPN Silicon RF Transistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?HighlinearitylownoiseRFtransistor ?22dBmOP1dBand31dBmOIP3@900MHz,8V,70mA ?ForUHF/VHFapplications ?Driverformultistageamplifiers ?Forlinearbroadbandandantennaamplifiers ?Collectordesignsupports5Vsupplyvoltage | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPN SILICON MICROWAVE TRANSISTOR UP TO 2GHz NPNSiliconMicrowaveTransistorupto2GHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司 | SIEMENS | ||
NPN SILICON MICROWAVE TRANSISTOR UP TO 2GHz NPNSiliconMicrowaveTransistorupto2GHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司 | SIEMENS | ||
NPN Silicon RF Transistor (For low-power amplifiers in mobile communication systems pager at collector currents from 0.2mA to 2.5mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-poweramplifiersinmobile communicationsystems(pager)atcollector currentsfrom0.2mAto2.5mA ?fT=7GHz F=2.1dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司 | SIEMENS |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
30V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
120MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
2SB1308,
- 最大耗散功率：
0.75W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
H-100
- vtest：
30
- htest：
120000000
- atest：
5
- wtest：
0.75
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BFR
- 制造商：
ITT
- 制造商全稱：
ITT Industries
- 功能描述：
Aerospace Avionic Equipment Geological Exploration
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LINFINEON |
23+ |
SOT393 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
LINFINEON |
23+ |
SOT393 |
7000 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
2223+ |
PG-SOD323-2 |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn) |
詢價(jià) | ||
Infineon |
24+ |
SOT-23 |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NXP |
17+ |
NA |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
23+ |
552 |
專(zhuān)做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | |||
原廠正品 |
23+ |
SOT23 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
原封 □ |
21500 |
INFINEON優(yōu)勢(shì) /原裝現(xiàn)貨長(zhǎng)期供應(yīng)現(xiàn)貨支持 |
詢價(jià) | ||
NXP |
17+ |
SOT23 |
9888 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NXP |
23+ |
SOT23 |
7500 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) |
