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NPN Silicon RF Transistor NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-poweramplifiersinmobile communicationsystems(pager)atcollector currentsfrom0.2mAto2.5mA ?fT=7GHz F=2.1dBat900MHz | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPN Silicon RF Transistor (For low-power amplifiers in mobile communication systems pager at collector currents from 0.2mA to 2.5mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-poweramplifiersinmobile communicationsystems(pager)atcollector currentsfrom0.2mAto2.5mA ?fT=7GHz F=2.1dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
NPN Silicon RF Transistor NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-poweramplifiersinmobile communicationsystems(pager)atcollector currentsfrom0.2mAto2.5mA ?fT=7GHz F=2.1dBat900MHz | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
Marking：RFs；Package：SOT-23；NPN Silicon RF Transistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Silicon NPN Planar RF Transistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
Marking：RFs；Package：SOT-416；NPN Silicon RF Transistor NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Silicon NPN Planar RF Transistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT-490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages.Inadditionto | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
Silicon NPN Planar RF Transistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
NPN Silicon RF Transistor )For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
30V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
120MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
2SB1308,
- 最大耗散功率：
0.75W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
H-100
- vtest：
30
- htest：
120000000
- atest：
5
- wtest：
0.75
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BFR
- 制造商：
ITT
- 制造商全稱：
ITT Industries
- 功能描述：
Aerospace Avionic Equipment Geological Exploration
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LINFINEON |
23+ |
SOT393 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
LINFINEON |
23+ |
SOT393 |
7000 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
2223+ |
PG-SOD323-2 |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn) |
詢價(jià) | ||
Infineon |
24+ |
SOT-23 |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
23+ |
552 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
23+ |
原封 □ |
21500 |
INFINEON優(yōu)勢(shì) /原裝現(xiàn)貨長期供應(yīng)現(xiàn)貨支持 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2106+ |
SOT23 |
9852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
21+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
100 |
保證原裝正品,需要聯(lián)系張小姐 13544103396 微信同號(hào) |
詢價(jià) | ||
24+ |
2000 |
全新 |
詢價(jià) | ||||
NXP |
2016+ |
SOT-23 |
1980 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) |
