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零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
CEP6601	文件：434.89 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-60V,-19A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CET6601	文件：391.17 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-4.3A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CET6601	文件：601.18 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-4.3A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CET6601A	文件：504.34 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-4.4A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU6601	文件：358.8 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-16A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU6601	文件：990.14 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
CEU6601A	文件：428.04 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-16A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEZC6601A	文件：941.71 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-13.5A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CHM6601JPT	文件：212.92 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT4.3Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchi	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CJL6601	文件：803.2 Kbytes Page：2 Pages	P-channelandN-channelComplementaryMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJQ6601	文件：3.87754 Mbytes Page：6 Pages	N-channelandP-channelComplementaryMOSFETS	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
DMG6601LVT	文件：404.8 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6601LVT	文件：9.6704 Mbytes Page：10 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET ProductSummary N-Channel Vps=30V,Ip=4A Ros(on)30mQ@Ves=10V(Typ) Ros(on)50mQ@Ves=-4.5V(Typ) P-Channel Vos=-30V,Ip=3A Ros(on)45mQ@Ves=-10V(Typ) Rosion)85mQ@Ves=-4.5V(Typ)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
E6601A	文件：379.62 Kbytes Page：9 Pages	CalibrationandAdjustmentSoftwareforAgilentRF/WInstruments	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP
EFC6601R	文件：422.24 Kbytes Page：8 Pages	Lithium-ionbatterycharginganddischargingswitch Features ?2.5Vdrive ?Protectiondiodein ?Common-draintype ?Halogenfreecompliance ?2KVESDHBM	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
EFC6601R	文件：324.45 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Features ?2.5Vdrive ?Protectiondiodein ?Common-draintype ?Halogenfreecompliance ?2KVESDHBM	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
EFC6601R-TR	文件：324.45 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Features ?2.5Vdrive ?Protectiondiodein ?Common-draintype ?Halogenfreecompliance ?2KVESDHBM	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FP6601Q	文件：491.98 Kbytes Page：8 Pages	USBDedicatedChargingPortControllerforFastChargingProtocolandQC2.0/3.0	FITIPOWERFitipower Integrated Technology Inc. 天鈺科技天鈺科技股份有限公司	FITIPOWER
FTK6601S	文件：480.35 Kbytes Page：5 Pages	P-channelandN-channelComplementaryMOSFETS	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HIP6601	文件：234.1 Kbytes Page：8 Pages	Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
CEP6601
制造商：
CET
制造商全稱：
Chino-Excel Technology
功能描述：
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	CEP6601	SR	23+	TO-220	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	CEP6601	CET	23+	TO-220	8650	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	CEP6601	CET/華瑞	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	CEP6601	CET/華瑞	2022+	TO-220	2000	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	CEP6601	CET	21+	TO-220	10005	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	CEP6601	CET	2201+	TO-220	13704	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	CEP6601	CET/華瑞	23+	NA/	96	優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	CEP6601	CET/華瑞	2022+	TO-220	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝假一罰十	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	CEP6601	CET/華瑞	20+	TO-220	300000	現(xiàn)貨很近!原廠很遠(yuǎn)!只做原裝	詢價(jià)
深圳市宏興瑞科技有限公司	CEP6601	CET	23+	TO-220	10000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多CEP6601供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 15:36:00

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