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CEP75N06G	文件：646.25 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,75A,RDS(ON)=13mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP75N06G	文件：424.43 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■60V,75A,RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP75N06G	文件：1.71031 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CJU75N06	文件：1.56294 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CJU75N06	文件：1.13418 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
FIR75N06PG	文件：4.05956 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FTK75N06D	文件：459.79 Kbytes Page：4 Pages	60V/75AN-ChannelPowerMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HM75N06	文件：575.95 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM75N06K	文件：526.1 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
M75N06HD	文件：230.68 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTB75N06	文件：342.06 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFET75AMPERES60VOLTS N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.Thisadvance	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTB75N06HD	文件：342.06 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFET75AMPERES60VOLTS N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.Thisadvance	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTB75N06HD	文件：287.24 Kbytes Page：12 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP75N06	文件：295.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP75N06HD	文件：979.34 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ?175°CJunctionTemperature ?TrenchFET?PowerMOSFET ?Materialcategorization:	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTP75N06HD	文件：230.68 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP75N06HD	文件：275.88 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET75AMPERESRDS(on)=10.0mOHM60VOLTS HDTMOSE-FETHighDensityPowerFET N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
NTB75N06	文件：176.99 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET75Amps,60Volts,N?ChannelTO?220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsin powersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridge circuits. Features ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant ?NTBVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeR	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTB75N06	文件：79.45 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET 75AMPERES,60VOLTSRDS(on)=9.5m? Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable TypicalApplications ?PowerSupplies ?Converters ?P	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTB75N06G	文件：176.99 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET75Amps,60Volts,N?ChannelTO?220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsin powersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridge circuits. Features ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant ?NTBVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeR	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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更多CEP75N06G供應(yīng)商更新時間2025-1-8 10:19:00

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