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DS_K7M323625M中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

DS_K7M323625M
廠商型號

DS_K7M323625M

功能描述

1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM

文件大小

211.07 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-5 16:30:00

DS_K7M323625M規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

The K7N323601M and K7N321801M are 37,748,736-bits Synchronous Static SRAMs.

The NtRAMTM, or No Turnaround Random Access Memory utilizes all the bandwidth in any combination of operating cycles.

Address, data inputs, and all control signals except output enable and linear burst order are synchronized to input clock.

FEATURES

? 3.3V+0.165V/-0.165V Power Supply.

? I/O Supply Voltage 3.3V+0.165V/-0.165V for 3.3V I/O or 2.5V+0.4V/-0.125V for 2.5V I/O.

? Byte Writable Function.

? Enable clock and suspend operation.

? Single READ/WRITE control pin.

? Self-Timed Write Cycle.

? Three Chip Enable for simple depth expansion with no data-contention .

? A interleaved burst or a linear burst mode.

? Asynchronous output enable control.

? Power Down mode.

? 100-TQFP-1420A .

? 165FBGA(11x15 ball aray) with body size of 15mmx17mm.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    DS_K7M323625M

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
A
24+
b
8
詢價
FOXCONN/富士康
24+
68900
一站配齊 原盒原包現(xiàn)貨 朱S Q2355605126
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MICROCHIP/微芯
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9000
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