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FAM65HR51DS2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
FAM65HR51DS2 |
| 參數(shù)屬性 | FAM65HR51DS2 包裝為托盤(pán)；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 650V 33A 135W |
| 功能描述 | H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter |
| 文件大小 |
601.24 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-19 11:52:00 |
FAM65HR51DS2規(guī)格書(shū)詳情
FAM65HR51DS2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FAM65HR51DS2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
FAM65HR51DS2
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤(pán)
- 配置：
半橋逆變器
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
無(wú)
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 描述：
IGBT MODULE 650V 33A 135W
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
NA |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價(jià) | ||
23+ |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||||
三年內(nèi) |
1983 |
納立只做原裝正品13590203865 |
詢價(jià) | ||||
24+ |
N/A |
58000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
2325+ |
33000 |
無(wú)敵價(jià)格 主銷品牌 正規(guī)渠道訂貨 免費(fèi)送樣!!! |
詢價(jià) | ||||
ON/安森美 |
23+ |
NA |
6000 |
原裝正品,優(yōu)勢(shì)訂貨 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
2112+ |
- |
31500 |
1個(gè)/管一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排 |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
CHILD/仙童三極管 |
24+23+ |
SPM-27 |
12580 |
16年現(xiàn)貨庫(kù)存供應(yīng)商終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價(jià) |
