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FF200R12KE3

IGBT-Module

eupec

eupec GmbH

FF200R12KE3

IGBT-Module

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF200R12KE3B2HOSA1

包裝:托盤 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MOD 1200V 295A 1050W

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF200R12KE3HOSA1

包裝:管件 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MODULE 1200V 1050W

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

DF200R12KE3

HochstzulassigeWerte/maximumratedvalues

eupec

eupec GmbH

FD200R12KE3

62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmConHighEfficiencydiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FD200R12KE3

TechnischeInformation/technicalinformation

eupec

eupec GmbH

FD200R12KE3P

62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlledHEDiodeundbereitsaufgetragenemThermalInterfaceMaterial

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    FF200R12KE3

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 1200V 200A DUAL

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
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INFINEON/英飛凌
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正規(guī)渠道原裝正品
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更多FF200R12KE3供應商 更新時間2024-12-23 14:16:00