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FGA40T65UQDF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT NPT 650V 80A TO3PN	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGB40T65SP	文件：946.61 Kbytes Page：11 Pages	FieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGB40T65SPD	文件：370.79 Kbytes Page：3 Pages	Field-StopTrenchIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=40A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·MotorDriver ·AutomotiveChargers ·OnboardCharge ·AirConCompressor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FGB40T65SPD	文件：946.61 Kbytes Page：11 Pages	FieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SH	文件：480.04 Kbytes Page：8 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SHD	文件：1.27362 Mbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SHDF	文件：503.73 Kbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’snew seriesoffieldstop3rdgenerationIGBTsoffersuperiorconduction andswitchingperformanceandeasyparalleloperation.Thisdevice iswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicationsuchas inductionhea	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SPD	文件：585.45 Kbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SQD	文件：671.38 Kbytes Page：10 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’snew seriesoffieldstop4thgenerationIGBTsoffertheoptimum performanceforsolarinverter,UPS,welder,telecom,ESSandPFC applicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features ?MaxJuncti	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SQD	文件：937.77 Kbytes Page：11 Pages	650V,40AFieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65UPD	文件：366.77 Kbytes Page：3 Pages	Field-StopTrenchIGBT DESCRIPTION ·HighInputImpedance ·HighCurrentCapabilityt ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.65V(Typ.)@IC=40A APPLICATIONS ·SolarInverter,UPS,Welder,DigitalPowerGenerator ·Telecom,ESS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FGH40T65UPD	文件：308.16 Kbytes Page：10 Pages	650V,40AFieldStopTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGH40T65UQDF	文件：1.22822 Mbytes Page：11 Pages	FieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGHL40T65LQDT	文件：211.97 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT40A,650V Fieldstop4thgenerationLowVCE(Sat)IGBTtechnologyandFull currentratedcopakDiodetechnology. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C ?PositiveTemperatureCo?efficientforEasyParallelOperating ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(Sat)=1.15V(Typ	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGHL40T65MQD	文件：338.01 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT650V,40A Fieldstop4thgenerationmidspeedIGBTtechnologyandfull currentratedcopakDiodetechnology. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C ?PositiveTemperatureCo?efficientforEasyParallelOperating ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.45V(Typ.)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGHL40T65MQDT	文件：257.72 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT650V,40A Fieldstop4thgenerationmidspeedIGBTtechnologycopacked withfullratedcurrentdiode. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C ?PositiveTemperatureCo?efficientforEasyParallelOperating ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(Sat)=1.45V(Typ.)@IC=	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MBQ40T65FDSC	文件：1.5971 Mbytes Page：9 Pages	650VFieldStopIGBT GeneralDescription ThisIGBTisproducedusingadvancedMagnaChip’sField StopTrenchIGBTTechnology,whichprovideshighswitching seriesandexcellentquality. ThisdeviceisforPFC,UPS&Inverterapplications. Features ?HighSpeedSwitching&LowPowerLoss ?V=1.95V@I=40A	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MBQ40T65FDSCTH	文件：1.5971 Mbytes Page：9 Pages	650VFieldStopIGBT GeneralDescription ThisIGBTisproducedusingadvancedMagnaChip’sField StopTrenchIGBTTechnology,whichprovideshighswitching seriesandexcellentquality. ThisdeviceisforPFC,UPS&Inverterapplications. Features ?HighSpeedSwitching&LowPowerLoss ?V=1.95V@I=40A	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MBQ40T65FESC	文件：1.88982 Mbytes Page：8 Pages	650VFieldStopIGBT	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MBQ40T65FESCTH	文件：1.88982 Mbytes Page：8 Pages	650VFieldStopIGBT	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
FGA40T65UQDF
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
NPT
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.67V @ 15V，40A
開關(guān)能量：
989μJ（開），310μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
32ns/271ns
測試條件：
400V，40A，6 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-3P-3，SC-65-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-3PN
描述：
IGBT NPT 650V 80A TO3PN

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FGA40T65UQDF	onsemi(安森美)	23+	TO-3P	1224	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	FGA40T65UQDF	FAIRCHILD	22+23+	TO-3P	35693	絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨	詢價
深圳兆威電子有限公司	FGA40T65UQDF	FAIRCHILD/仙童	22+	TO-3P	30233	原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市納立科技有限公司	FGA40T65UQDF		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	FGA40T65UQDF	FAIRCHILD	2023+	TO-3P	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	FGA40T65UQDF	FAIRCHILD	24+	TO-3P	65200	一級代理/放心采購	詢價
深圳市興燦科技有限公司	FGA40T65UQDF	ON/安森美	24+	TO-3P-3	25500	授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售	詢價
艾睿國際（香港）有限公司	FGA40T65UQDF	FAIRCHILD/仙童	2021+	TO-3P	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價
深圳市科雨電子有限公司	FGA40T65UQDF	ON	1809+	TO-3P	1675	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市凌旭科技有限公司	FGA40T65UQDF	FAIRCHILD/仙童	21+	TO-3P	1709		詢價

更多FGA40T65UQDF供應(yīng)商更新時間2025-1-9 10:10:00

產(chǎn)品屬性

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