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FMI03N60E	文件：578.13 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMP03N60E	文件：371.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FMP03N60E	文件：571.53 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMV03N60E	文件：532.96 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
H03N60	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H03N60E	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H03N60F	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
IKD03N60RF	文件：1.71473 Mbytes Page：16 Pages	TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplicationsupto30kHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RF	文件：1.92227 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RF	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	??C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RF	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD03N60RFA	文件：1.74998 Mbytes Page：16 Pages	OptimizedEon,EoffandQrrforlowswitchinglosses	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
ILA03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor ?NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts ?IGBTwithintegratedreversediode ?4Acurrentratingforreversediode ?Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET ?Avalancherated ?150°Coperatingtemperature ?FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
ILB03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor ?NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts ?IGBTwithintegratedreversediode ?4Acurrentratingforreversediode ?Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET ?Avalancherated ?150°Coperatingtemperature ?FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
ILD03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor ?NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts ?IGBTwithintegratedreversediode ?4Acurrentratingforreversediode ?Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET ?Avalancherated ?150°Coperatingtemperature ?FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
ILP03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor ?NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts ?IGBTwithintegratedreversediode ?4Acurrentratingforreversediode ?Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET ?Avalancherated ?150°Coperatingtemperature ?FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
MJU03N60CT	文件：275.7 Kbytes Page：7 Pages	600VSuperJunctionPowerMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
NDD03N60Z	文件：137.18 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,3.6	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NDD03N60Z	文件：298.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(Ta=25℃)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NDD03N60Z	文件：167.82 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,3.3	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
FMI03N60E
制造商：
FUJI
制造商全稱：
Fuji Electric
功能描述：
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市國宇半導體科技有限公司	FMI03N60E	F	23+	T-PACK(L)	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	FMI03N60E	F	22+	T-PACK(L)	6000	十年配單,只做原裝	詢價
深圳市賽美科科技有限公司	FMI03N60E	FUJI		原廠封裝	1000	一級代理原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	FMI03N60E	F	22+	T-PACK(L)	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市星辰微電科技有限公司	FMI03N60E	FUJI/富士電機	23+	N/A	11550	FUJI/富士電機系列在售	詢價
深圳市芯皇電子有限公司	FMI03N60E	FUJI/富士電機	23+	N/A	9000	專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu)	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	FMI06N60ES	FUJI/富士電機	23+	TO262	28888	原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價

更多FMI03N60E供應商更新時間2025-1-17 14:30:00

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