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FMV06N60E	文件：529.48 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
FMV06N60ES	文件：547.53 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.7±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
FTA06N60C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
H06N60	文件：71.89 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
IGD06N60T	文件：460.08 Kbytes Page：12 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGP06N60T	文件：376.67 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGP06N60T	文件：494.78 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGP06N60T	文件：331.26 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHD06N60RA	文件：824.92 Kbytes Page：12 Pages	ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKA06N60T	文件：520.309 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKA06N60T	文件：354.49 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachines,airco	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKA06N60T	文件：379.05 Kbytes Page：4 Pages	Field-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.1V@IC=6A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance APPLICATIONS ·SolarConverters ·UninterruptedPowerSupply ·UPS,PFC ·WeldingConverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IKB06N60T	文件：371.12 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
IKB06N60T	文件：658.38 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD06N60R	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	??C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD06N60R	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD06N60R	文件：1.89039 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKD06N60RA	文件：2.39499 Mbytes Page：16 Pages	TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
FMV06N60E
制造商：
FUJI
制造商全稱：
Fuji Electric
功能描述：
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	FMV06N60E	FUJI/富士電機(jī)	17+	TO-220F	31518	原裝正品可含稅交易	詢價
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更多FMV06N60E供應(yīng)商更新時間2024-12-24 14:00:00

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