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65N06	文件：644.19 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
65N06	文件：136.98 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrent??D=63A@TC=25C	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
65N06	文件：374.37 Kbytes Page：7 Pages	65A,60VN-CHANNELMOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亞半導體廣東可易亞半導體科技有限公司	KIA
65N06	文件：316.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FDP65N06	文件：332.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=65A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FDP65N06	文件：598.45 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQA65N06	文件：652.83 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQA65N06	文件：362.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=72A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconver	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQAF65N06	文件：328.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=49A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQAF65N06	文件：653.74 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQB65N06	文件：668.16 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQB65N06	文件：673.64 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQB65N06TM	文件：673.64 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQI65N06	文件：668.16 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQI65N06	文件：673.64 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP65N06	文件：295.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=65A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.016Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQP65N06	文件：1.15856 Mbytes Page：6 Pages	65A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingTHINKISemiconductoradvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforoff-lineswitchmodepowersupply. Also,especiallydesignedtominimizerds(on)andhighruggedavalanchecharacteristics.TheTO-220	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導體思祁半導體有限公司	THINKISEMI
FQP65N06	文件：661.13 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQPF65N06	文件：681.73 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQPF65N06	文件：277.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.016Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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詳細參數(shù)

型號：
FQP65N06_Q
功能描述：
MOSFET TO-220 N-CH 60V 65A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	FQP65N06-124	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220	10000	原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市勤思達科技有限公司	FQP65N06C	FAIRCHILD	15+	TO-220	11560	全新原裝,現(xiàn)貨庫存,長期供應	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	FQP65N06C	仙童/三星	23+	TO-220	3000	全新原裝	詢價
深圳市雅芯通科技有限公司	FQP65N06MOS	ON/安森美	24+	SMD	2000	只做原裝正品上傳就有貨假一賠十	詢價
深圳市國宇半導體科技有限公司	FQP65N06MOS(場效應管)	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220	22000	好質(zhì)量好價格好漂亮保上機90天	詢價
深圳市威爾健半導體有限公司	FQP65N06MOS(場效應管)	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳廊盛科技有限公司	FQP65N06MOS(場效應管)	FAIRCHILD/仙童	2022	TO-220	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
深圳市鼎欣微電子有限公司	FQP65N06MOS(場效應管)	ON/安森美	22+	SMD	21000	原廠原包裝。假一罰十?？砷_13%增值稅發(fā)票。	詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	FQP65N06PBF	原廠	23+	TO-220	5000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市科芯源微電子有限公司	FQP65N06功率三極管	FAIRCHILD/仙童	24+	TO220	58000	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術支持、樣品免費!	詢價

更多FQP65N06_Q供應商更新時間2025-1-8 15:21:00

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