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FQP6N40C	文件：851.97 Kbytes Page：10 Pages	400V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP6N40C	文件：296.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQP6N40CF	文件：1.06342 Mbytes Page：8 Pages	400V N-Channel MOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP6N40CF	文件：1.07078 Mbytes Page：10 Pages	400V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP6N40CF_06	文件：1.07078 Mbytes Page：10 Pages	400V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP6N40CF_12	文件：1.1984 Mbytes Page：10 Pages	400V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF6N40C	文件：851.97 Kbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF6N40CF	文件：1.07078 Mbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU6N40	文件：330.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQU6N40	文件：773.03 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET Features ?4.2A,400V,RDS(on)=1.15?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical13nC) ?LowCrss(typical9.5pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU6N40C	文件：623.6 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
HFD6N40S	文件：805.4 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFU6N40S	文件：805.4 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
IRF6N40	文件：78.48 Kbytes Page：3 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitching regulators,conveters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES ●?HigherCurrentRating ?●LowerrDS(ON),LowerCapacitances ?●LowerTotalGateCharge ?	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
KSM6N40C	文件：2.50584 Mbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD6N40	文件：1.4163 Mbytes Page：8 Pages	400VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF6N40C	文件：2.50584 Mbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU6N40	文件：1.4163 Mbytes Page：8 Pages	400VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MS6N40	文件：878.32 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF6N40	文件：911.93 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FQP6N40C
功能描述：
MOSFET 400V N-Ch Q-FET advance C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	FQP6N40C	FAIRCHILD/仙童	24+	TO220	8950	BOM配單專家,發(fā)貨快,價(jià)格低	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	FQP6N40C	onsemi	24+	TO-220-3	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市近平電子有限公司	FQP6N40C	FAIRCHILD	12+	TO-220	6000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	FQP6N40C	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-220-3	3580	原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)歡迎詢價(jià)	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	FQP6N40C	仙童	05+	TO-220	5000	原裝進(jìn)口	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	FQP6N40C	FAIRCHIL	2015+	TO-220	12500	全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存長(zhǎng)期供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	FQP6N40C	FAIRCHILD	23+	TO-220	9526		詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	FQP6N40C	FAIRCHILD	2016+	TO-220	6528	房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	FQP6N40C	FAIRCHIL	23+	TO-220	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	FQP6N40C	FAIRCHI	2020+	TO-220	28	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)

更多FQP6N40C供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-31 16:36:00

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