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2SK1399

Marking:G12;Package:SC-59;MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FORHIGHSPEEDSWITCHING DESCRIPTION The2SK1399isanN-channelverticaltypeMOSFETcanbe drivenby2.5Vpowersupply. The2SK1399isdrivenbylowvoltageanddoesnotrequire considerationofdrivingcurrent,itissuitableforappliancesinclud

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

FMG12

Marking:G12;Package:SMT6;Emitter common(dual digital transistors)

Features 1)IncludetwoDTC323TtransistorsinasingleSMTpackage. 2)LowVCE(sat).Idealformutingcircuit. 3)CanbeusedwithIC=600mA

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

PESDSOT12C

Marking:G12;Package:SOT-23;Plastic-Encapsulate Diodes

FEATURES ?Bi-directionalESDprotectionoftwolines ?Lowreversestand?offvoltage:12V ?Lowreverseclampingvoltage ?Lowleakagecurrent ?Fastresponsetime ?JESD22-A114-BESDRatingofclass3Bperhumanbodymodel ?IEC61000-4-2Level4ESDprotection DESCRIPTION Lowcapacit

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

BZG03C12

Marking:G12;Package:DO-214AC;Zener Diodes

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

MIC2006-1.2YML-TR

Marking:G12;Package:DFN;Fixed and Adjustable Current Limiting Power Distribution Switches

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

RQ3G120BJFRA

Marking:G120BJ;Package:HSMT8AG;Pch -40V -12A Power MOSFET

Features 1)Smallhigh-poweredpackagereduces mountingareaby64%atamaximum 2)Realizationofhighmountingreliability byoriginalterminalandplatingtreatment 3)AEC-Q101Qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

STGYA120M65DF2AG

Marking:G120M65DF2AG;Package:Max247;Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 120 A, low-loss, M series IGBT in a Max247 long leads package

Features ?AEC-Q101qualified ?6μsofshort-circuitwithstandtime ?VCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=120A ?Tightparameterdistribution ?Saferparalleling ?PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient ?Lowthermalresistance ?Softandveryfastrecoveryantiparalleldiode ?Maximumj

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

TPS3808EG125DBVR

Marking:G125;Package:SOT-23;TPS3808E Low-Quiescent-Current, Programmable-Delay Supervisory Circuit

1Features ?Undervoltagemonitoringforpowerrails –Reliablemonitoringwithhighthreshold accuracy(1typical) –Fixedvoltagethresholdoptionsfrom0.9Vto5V –Adjustablevoltageoptionavailable(0.405) –SeparateSensepinformonitoringandVDDpin forpower –Devicetemperature

TI1Texas Instruments

德州儀器

BZG03C120

Marking:G120;Package:DO-214AC;Zener Diodes

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

HYG120P06LR1D

Marking:G120P06L;Package:TO-252-2L;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

華羿微電華羿微電子股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    G12

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+R

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)_差分放大器射極輸出 (Dual)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    30V

  • 最大電流允許值:

    0.6A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    5

  • 可代換的型號:

    FMG12A,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-21

  • vtest:

    30

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    G12

  • 制造商:

    XP Power

  • 類別:

    電源 - 板安裝 > 直流轉(zhuǎn)換器

  • 系列:

    XP EMCO - G (1.5W)

  • 包裝:

    管件

  • 類型:

    高電壓 - 隔離模塊

  • 電壓 - 輸入(最小值):

    0.7V

  • 電壓 - 輸入(最大值):

    12V

  • 電壓 - 輸出 1:

    1200V

  • 電流 - 輸出(最大值):

    1.25mA

  • 應(yīng)用:

    ITE(商業(yè))

  • 特性:

    比例輸出

  • 工作溫度:

    -10°C ~ 60°C

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    4-DIP 模塊

  • 大小 / 尺寸:

    1.50" 長 x 1.50" 寬 x 0.63" 高(38.1mm x 38.1mm

  • 描述:

    DC DC CONVERTER 1200V 1.5W

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
F
05+
原廠原裝
7277
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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更多G12供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-8 10:32:00