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GAN039-650NTB_V01

650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212i package

1.Generaldescription TheGAN039-650NTBisa650V,33mΩGalliumNitride(GaN)FETinaCCPAK1212iinverted package.Itisanormally-offdevicethatcombinesNexperia’slatesthigh-voltageGaNHEMT H2technologyandlow-voltagesiliconMOSFETtechnologies—offeringsuperiorreliabilityand

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更多GAN039-650NTB_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-30 9:30:00

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