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GT50J327中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

GT50J327
廠商型號(hào)

GT50J327

功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors

文件大小

1.58274 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

73 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-9 20:00:00

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GT50J327規(guī)格書(shū)詳情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    GT50J327

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT Current Resonance Inverter Switching Application

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOSHIBA/東芝
23+
NA/
34250
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
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TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA
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TOSHIBA/東芝
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TO-3P(N)
31518
原裝正品 可含稅交易
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