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GTVA212701FA-V2-R0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
GTVA212701FA-V2-R0 |
參數(shù)屬性 | GTVA212701FA-V2-R0 封裝/外殼為H-87265J-2;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:270W, GAN HEMT, 48V, 2110-2200MH |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2110 ??2200 MHz |
封裝外殼 | H-87265J-2 |
文件大小 |
434 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Cree, Inc |
企業(yè)簡稱 |
Cree【科銳】 |
中文名稱 | 科銳官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-26 17:02:00 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
GTVA212701FA-V2-R0
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 系列:
GaN
- 包裝:
帶
- 晶體管類型:
HEMT
- 頻率:
2.11GHz ~ 2.2GHz
- 增益:
19dB
- 功率 - 輸出:
270W
- 封裝/外殼:
H-87265J-2
- 供應(yīng)商器件封裝:
H-87265J-2
- 描述:
270W, GAN HEMT, 48V, 2110-2200MH
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CREE |
22+ |
SMD |
518000 |
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詢價 | ||
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7000 |
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Cree/Wolfspeed |
2022+ |
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H-87265J-2 |
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