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HY57V561620B	文件：165.42 Kbytes Page：12 Pages	4Banksx4Mx16BitSynchronousDRAM DESCRIPTION TheHY57V561620Bisa268,435,456bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V561620Bisorganizedas4banksof4,194,304x16. HY57V561620Bisofferingfullysynchronousoperationreferencedtoa	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半導(dǎo)體	Hynix
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HY57V561620BLT-KI	文件：165.42 Kbytes Page：12 Pages	4Banksx4Mx16BitSynchronousDRAM DESCRIPTION TheHY57V561620Bisa268,435,456bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V561620Bisorganizedas4banksof4,194,304x16. HY57V561620Bisofferingfullysynchronousoperationreferencedtoa	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半導(dǎo)體	Hynix
HY57V561620BLT-PI	文件：165.42 Kbytes Page：12 Pages	4Banksx4Mx16BitSynchronousDRAM DESCRIPTION TheHY57V561620Bisa268,435,456bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V561620Bisorganizedas4banksof4,194,304x16. HY57V561620Bisofferingfullysynchronousoperationreferencedtoa	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半導(dǎo)體	Hynix
HY57V561620BLT-SI	文件：165.42 Kbytes Page：12 Pages	4Banksx4Mx16BitSynchronousDRAM DESCRIPTION TheHY57V561620Bisa268,435,456bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V561620Bisorganizedas4banksof4,194,304x16. HY57V561620Bisofferingfullysynchronousoperationreferencedtoa	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半導(dǎo)體	Hynix
HY57V561620BT-HI	文件：165.42 Kbytes Page：12 Pages	4Banksx4Mx16BitSynchronousDRAM DESCRIPTION TheHY57V561620Bisa268,435,456bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V561620Bisorganizedas4banksof4,194,304x16. HY57V561620Bisofferingfullysynchronousoperationreferencedtoa	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半導(dǎo)體	Hynix
HY57V561620BT-I	文件：165.42 Kbytes Page：12 Pages	4Banksx4Mx16BitSynchronousDRAM DESCRIPTION TheHY57V561620Bisa268,435,456bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V561620Bisorganizedas4banksof4,194,304x16. HY57V561620Bisofferingfullysynchronousoperationreferencedtoa	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半導(dǎo)體	Hynix
HY57V561620BT-KI	文件：165.42 Kbytes Page：12 Pages	4Banksx4Mx16BitSynchronousDRAM DESCRIPTION TheHY57V561620Bisa268,435,456bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V561620Bisorganizedas4banksof4,194,304x16. HY57V561620Bisofferingfullysynchronousoperationreferencedtoa	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半導(dǎo)體	Hynix
HY57V561620BT-PI	文件：165.42 Kbytes Page：12 Pages	4Banksx4Mx16BitSynchronousDRAM DESCRIPTION TheHY57V561620Bisa268,435,456bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V561620Bisorganizedas4banksof4,194,304x16. HY57V561620Bisofferingfullysynchronousoperationreferencedtoa	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半導(dǎo)體	Hynix

詳細(xì)參數(shù)

型號：
HY57V561620T-SI
功能描述：
x16 SDRAM

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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