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IDT71016S20PH	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71016S20PH	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IDT71016S20PHG	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71016S20PHGI	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71016S20PHI	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71016S20PHI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IDT71016S20PHI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IDT71016S20Y	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71016S20YG	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71016S20YGI	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71016S20YI	文件：482.33 Kbytes Page：9 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
IDT71016S20PH
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
卷帶（TR）
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲(chǔ)容量：
1Mb（64K x 16）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
寫周期時(shí)間 - 字，頁：
20ns
電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
44-TSOP II
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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