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IDT71V016SA10YGI

包裝：托盤 封裝/外殼：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

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瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71V016SA10YGI8

包裝：托盤 封裝/外殼：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

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71V016SA10BF

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

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71V016SA10BFG

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

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3.3VCMOSStaticRAM

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Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA10BFGI

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

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3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

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3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

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3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

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Integrated Device Technology, Inc.

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3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

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3.3VCMOSStaticRAM

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Integrated Device Technology, Inc.

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3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

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71V016SA10YG

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

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3.3VCMOSStaticRAM

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3.3VCMOSStaticRAM

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Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IDT71V016SA10YGI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Mb（64K x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3.15V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    44-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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23+
44-SOJ
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專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
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IDT, Integrated Device Technol
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公司只售原裝,支持實(shí)單
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44SOJ
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原裝正品，支持實(shí)單
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IDT, Integrated Device Techno
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7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IDT, Integrated Device Techno
23+
44-SOJ
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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Renesas Electronics Corporatio
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44-BSOJ
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只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨
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44-SOJ
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原裝現(xiàn)貨
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更多IDT71V016SA10YG供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-14 16:30:00

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