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IGP40N65F5XKSA1

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 650V 74A TO220-3

InfineonInfineon Technologies AG

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AIGB40N65F5

HighspeedFASTIGBTinTRENCHSTOPTM5technology

FeaturesandBenefits: HighspeedF5technologyoffering: ?Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies ?650Vbreakdownvoltage ?LowgatechargeQG ?Maximumjunctiontemperature175°C ?Dynamicallystresstested ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101 ?Greenpackage(

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AIGBE40N65F5

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FeaturesandBenefits: ?Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies ?650Vbreakdownvoltage ?LowgatechargeQG ?Maximumjunctiontemperature175°C ?Dynamicallystresstested ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101 ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Innovative

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650VIGBThighspeedswitchingseriesfifthgeneration

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IGW40N65F5A

Highspeedswitchingseriesfifthgeneration

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IKP40N65F5

650VDuoPackIGBTandDiodeHighspeedswitchingseriesfifthgeneration

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IKP40N65F5

650VDuoPackIGBTandDiodeHighspeedswitchingseriesfifthgeneration

Highspeed5IGBTinTRENCHSTOP?5technologycopackedwithRAPID1fastandsoftantiparalleldiode FeaturesandBenefits: HighspeedH5technologyoffering ?Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies ?650Vbreakdownvoltage ?LowQG ?IGBTcopackedwithRAPID

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IGP40N65F5XKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    360μJ（開），100μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    19ns/160ns

  • 測試條件：

    400V，20A，15 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO220-3

  • 描述：

    IGBT 650V 74A TO220-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon Technologies
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TO-220-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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更多IGP40N65F5XKSA供應(yīng)商 更新時間2025-2-4 14:14:00

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