首頁>IMBG65R260M1H>規(guī)格書詳情
IMBG65R260M1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IMBG65R260M1H |
| 參數(shù)屬性 | IMBG65R260M1H 包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
| 功能描述 | 650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | PG-TO263-7-12 |
| 文件大小 |
1.54116 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-18 11:46:00 |
IMBG65R260M1H規(guī)格書詳情
IMBG65R260M1H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IMBG65R260M1H晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IMBG65R260M1HXTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 包裝：
管件
- 描述：
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
MODULE |
2100 |
公司大量全新現(xiàn)貨 隨時(shí)可以發(fā)貨 |
詢價(jià) | |||
Infineon |
24+ |
PG-TO263-7 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價(jià) | ||
FUJI/富士電機(jī) |
23+ |
TO-3PL |
58000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
100 |
原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠 |
詢價(jià) | ||||
Infineon |
23+ |
PG-TO263-7 |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢渠道全系列在售 |
詢價(jià) | ||
FUJITSU |
23+ |
TO-3PL |
32642 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價(jià) | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT883B |
69820 |
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單! |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
TO263 |
9960 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
富士通FUJITSU |
23+24 |
TO-3PL |
9860 |
原廠原包裝。終端BOM表可配單?？砷_13%增值稅 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
654 |
只做正品 |
詢價(jià) |
