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IMT65R057M1H

MOSFET 650 V CoolSiCa M1 SiC Trench Power Device

Features ?Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQf ?Superiorgateoxidereliability ?Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior ?LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature ?Increasedavalanchecapability ?Compatib

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IMT65R057M1HXUMA1

Package：8-PowerSFN；包裝：管件 類別：分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：SILICON CARBIDE MOSFET

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650VCoolSiC?M1SiCTrenchPowerDevice

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650VCoolSiC?M1SiCTrenchPowerDevice

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更多IMT65R057M1H供應商 更新時間2025-1-18 11:00:00

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