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IMYH200R050M1H

CoolSiC? 2000 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=2000VatTvj=25°C ?IDCC=48AatTc=25°C ?RDS(on)=50mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Robustbodydiodeforhardcommutation ?.XTinterconnectiontechnologyforbest-in-classthermalp

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IMYH200R050M1H供應(yīng)商 更新時間2024-12-26 10:01:00

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