IC，即集成電路是采用半導(dǎo)體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。它在電路中用字母“IC”（也有用文字符號(hào)“N”等）表示。
1發(fā)展編輯
《2013-2017年中國(guó)集成電路封裝行業(yè)市場(chǎng)前瞻與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告》[1]顯示，在產(chǎn)業(yè)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)的同時(shí)，IC 設(shè)計(jì)、芯片制造和封裝測(cè)試三業(yè)的格局也正不斷優(yōu)化。2010年，國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)業(yè)同比增速達(dá)到34.8%，規(guī)模達(dá)到363.85億元;芯片制造業(yè)增速也達(dá)到31.1%，規(guī)模達(dá)到447.12億元;封裝測(cè)試業(yè)增速相對(duì)稍緩，同比增幅為26.3%，規(guī)模為629.18億元。
總體來(lái)看，IC設(shè)計(jì)業(yè)與芯片制造業(yè)所占比重呈逐年上升的趨勢(shì)，2010年已分別達(dá)到25.3%和31%;封裝測(cè)試業(yè)所占比重則相應(yīng)下降，2010年為43.7%，但其所占比重依然是最大的。
目前，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)集群已初步形成集聚長(zhǎng)三角、環(huán)渤海和珠三角三大區(qū)域的總體產(chǎn)業(yè)空間格局，2010年三大區(qū)域集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入占全國(guó)整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模的近95%。集成電路產(chǎn)業(yè)基本分布在省會(huì)城市和沿海的計(jì)劃單列市，并呈現(xiàn)“一軸一帶”的分布特征，即東起上海、西至成都的沿江發(fā)展軸以及北起大連、南至深圳的沿海產(chǎn)業(yè)帶，形成了北京、上海、深圳、無(wú)錫、蘇州和杭州六大重點(diǎn)城市。
去年年初，國(guó)務(wù)院發(fā)布了《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》，從財(cái)稅、投融資、研發(fā)、進(jìn)出口、人才、知識(shí)產(chǎn)權(quán)等方面給予集成電路產(chǎn)業(yè)諸多優(yōu)惠，政策覆蓋范圍從設(shè)計(jì)企業(yè)與生產(chǎn)企業(yè)延伸至封裝、測(cè)試、設(shè)備、材料等產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)，產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策環(huán)境進(jìn)一步好轉(zhuǎn)。前瞻網(wǎng)表示，根據(jù)國(guó)家規(guī)劃，到2015年國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模將在2010年的基礎(chǔ)上再翻一番，銷售收入超過3000億元，滿足國(guó)內(nèi)30%的市場(chǎng)需求。芯片設(shè)計(jì)能力大幅提升，開發(fā)出一批具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心芯片，而封裝測(cè)試業(yè)進(jìn)入國(guó)際主流領(lǐng)域?！笆濉逼陂g，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)將步入一個(gè)新的黃金發(fā)展期。
[2]國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)在寬帶提速、家電下鄉(xiāng)等宏觀政策影響下好于全球市場(chǎng)。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2012年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為2158.5億元，同比增長(zhǎng)11.6%。
目前，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展逐步形成了集成電路設(shè)計(jì)、集成電路制造和集成電路封裝測(cè)試三業(yè)并舉、協(xié)調(diào)發(fā)展的格局。2012年，中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)銷售額占比為28.8%、制造業(yè)銷售額占比為23.2%，封裝測(cè)試業(yè)銷售額占比為48.0%。
報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，2012年國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)量為823.1億塊，同比增長(zhǎng)14.4%。2012年中國(guó)集成電路產(chǎn)品進(jìn)口金額為1920.6億美元，同比增長(zhǎng)12.8%;2012年中國(guó)集成電路產(chǎn)品出口金額為534.3億美元，同比增長(zhǎng)64.1%。
2概述編輯
集成電路封裝在電子學(xué)金字塔中的位置既是金字塔的尖頂又是金字塔的基座。說它同時(shí)處在這兩種位置都有很充分的根據(jù)。從電子元器件（如晶體管）的密度這個(gè)角度上來(lái)說，IC代表了電子學(xué)的尖端。但是IC又是一個(gè)起始點(diǎn)，是一種基本結(jié)構(gòu)單元，是組成我們生活中大多數(shù)電子系統(tǒng)的基礎(chǔ)。同樣，IC不僅僅是單塊芯片或者基本電子結(jié)構(gòu)，IC的種類千差萬(wàn)別（模擬電路、數(shù)字電路、射頻電路、傳感器等），因而對(duì)于封裝的需求和要求也各不相同。本文對(duì)IC封裝技術(shù)做了全面的回顧，以粗線條的方式介紹了制造這些不可缺少的封裝結(jié)構(gòu)時(shí)用到的各種材料和工藝。
3作用編輯
集成電路封裝不僅起到集成電路芯片內(nèi)鍵合點(diǎn)與外部進(jìn)行電氣連接的作用，也為集成電路芯片提供了一個(gè)穩(wěn)定可靠的工作環(huán)境，對(duì)集成電路芯片起到機(jī)械或環(huán)境保護(hù)的作用，從而集成電路芯片能夠發(fā)揮正常的功能，并保證其具有高穩(wěn)定性和可靠性。總之，集成電路封裝質(zhì)量的好壞，對(duì)集成電路總體的性能優(yōu)劣關(guān)系很大。因此，封裝應(yīng)具有較強(qiáng)的機(jī)械性能、良好的電氣性能、散熱性能和化學(xué)穩(wěn)定性。
雖然IC的物理結(jié)構(gòu)、應(yīng)用領(lǐng)域、I/O數(shù)量差異很大，但是IC封裝的作用和功能卻差別不大，封裝的目的也相當(dāng)?shù)囊恢?。作為“芯片的保護(hù)者”，封裝起到了好幾個(gè)作用，歸納起來(lái)主要有兩個(gè)根本的功能：
（1）保護(hù)芯片，使其免受物理?yè)p傷；
（2）重新分布I/O，獲得更易于在裝配中處理的引腳節(jié)距。封裝還有其他一些次要的作用，比如提供一種更易于標(biāo)準(zhǔn)化的結(jié)構(gòu)，為芯片提供散熱通路，使芯片避免產(chǎn)生α粒子造成的軟錯(cuò)誤，以及提供一種更方便于測(cè)試和老化試驗(yàn)的結(jié)構(gòu)。封裝還能用于多個(gè)IC的互連。可以使用引線鍵合技術(shù)等標(biāo)準(zhǔn)的互連技術(shù)來(lái)直接進(jìn)行互連。或者也可用封裝提供的互連通路，如混合封裝技術(shù)、多芯片組件（MCM）、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）以及更廣泛的系統(tǒng)體積小型化和互連(VSMI)概念所包含的其他方法中使用的互連通路，來(lái)間接地進(jìn)行互連。
隨著微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件和片上實(shí)驗(yàn)室（lab-on-chip）器件的不斷發(fā)展，封裝起到了更多的作用：如限制芯片與外界的接觸、滿足壓差的要求以及滿足化學(xué)和大氣環(huán)境的要求。人們還日益關(guān)注并積極投身于光電子封裝的研究，以滿足這一重要領(lǐng)域不斷發(fā)展的要求。最近幾年人們對(duì)IC封裝的重要性和不斷增加的功能的看法發(fā)生了很大的轉(zhuǎn)變，IC封裝已經(jīng)成為了和IC本身一樣重要的一個(gè)領(lǐng)域。這是因?yàn)樵诤芏嗲闆r下，IC的性能受到IC封裝的制約，因此，人們?cè)絹?lái)越注重發(fā)展IC封裝技術(shù)以迎接新的挑戰(zhàn)。
4要求編輯
集成電路封裝還必須充分地適應(yīng)電子整機(jī)的需要和發(fā)展。由于各類電子設(shè)備、儀器儀表的功能不同，其總體結(jié)構(gòu)和組裝要求也往往不盡相同。因此，集成電路封裝必須多種多樣，才足以滿足各種整機(jī)的需要。
集成電路封裝是伴隨集成電路的發(fā)展而前進(jìn)的。隨著宇航、航空、機(jī)械、輕工、化工等各個(gè)行業(yè)的不斷發(fā)展，整機(jī)也向著多功能、小型化方向變化。這樣，就要求集成電路的集成度越來(lái)越高，功能越來(lái)越復(fù)雜。相應(yīng)地要求集成電路封裝密度越來(lái)越大，引線數(shù)越來(lái)越多，而體積越來(lái)越小，重量越來(lái)越輕，更新?lián)Q代越來(lái)越快，封裝結(jié)構(gòu)的合理性和科學(xué)性將直接影響集成電路的質(zhì)量。因此，對(duì)于集成電路的制造者和使用者，除了掌握各類集成電路的性能參數(shù)和識(shí)別引線排列外，還要對(duì)集成電路各種封裝的外形尺寸、公差配合、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和封裝材料等知識(shí)有一個(gè)系統(tǒng)的認(rèn)識(shí)和了解。以便使集成電路制造者不因選用封裝不當(dāng)而降低集成電路性能；也使集成電路使用者在采用集成電路進(jìn)行征集設(shè)計(jì)和組裝時(shí)，合理進(jìn)行平面布局、空間占用，做到選型恰當(dāng)、應(yīng)用合理。
5變革編輯
封裝形式
集成電路發(fā)展初期，其封裝主要是在半導(dǎo)體晶體管的金屬圓形外殼基礎(chǔ)上增加外引線數(shù)而形成的。但金屬圓形外殼的引線數(shù)受結(jié)構(gòu)的限制不可能無(wú)限增多，而且這種封裝引線過多時(shí)也不利于集成電路的測(cè)試和安裝，從而出現(xiàn)了扁平式封裝。而扁平式封裝不易焊接，隨著波峰焊技術(shù)的發(fā)展又出現(xiàn)了雙列式封裝。由于軍事技術(shù)的發(fā)展和整機(jī)小型化的需要，集成電路的封裝又有了新的變化，相繼產(chǎn)生了片式載體封裝、四面引線扁平封裝、針柵陣列封裝、載帶自動(dòng)焊接封裝等。同時(shí)，為了適應(yīng)集成電路發(fā)展的需要，還出現(xiàn)了功率型封裝、混合集成電路封裝以及適應(yīng)某些特定環(huán)境和要求的恒溫封裝、抗輻照封裝和光電封裝。并且各類封裝逐步形成系列，引線數(shù)從幾條直到上千條，已充分滿足集成電路發(fā)展的需要。
封裝材料
如上所述，集成電路封裝的作用之一就是對(duì)芯片進(jìn)行環(huán)境保護(hù)，避免芯片與外部空氣接觸。因此必須根據(jù)不同類別的集成電路的特定要求和使用場(chǎng)所，采取不同的加工方法和選用不同的封裝材料，才能保證封裝結(jié)構(gòu)氣密性達(dá)到規(guī)定的要求。集成電路早期的封裝材料是采用有機(jī)樹脂和蠟的混合體，用充填或灌注的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)封裝的，顯然可靠性很差。也曾應(yīng)用橡膠來(lái)進(jìn)行密封，由于其耐熱、耐油及電性能都不理想而被淘汰。目前使用廣泛、性能最為可靠的氣密密封材料是玻璃-金屬封接、陶瓷-金屬封裝和低熔玻璃-陶瓷封接。處于大量生產(chǎn)和降低成本的需要，塑料模型封裝已經(jīng)大量涌現(xiàn)，它是以熱固性樹脂通過模具進(jìn)行加熱加壓來(lái)完成的，其可靠性取決于有機(jī)樹脂及添加劑的特性和成型條件，但由于其耐熱性較差和具有吸濕性，還不能與其他封接材料性能相當(dāng)，尚屬于半氣密或非氣密的封接材料。
隨著芯片技術(shù)的成熟和芯片成品率的迅速提高，后部封接成本占整個(gè)集成電路成本的比重也愈來(lái)愈大，封裝技術(shù)的變化和發(fā)展日新月異，令人目不暇接。
6標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)編輯
我國(guó)集成電路封裝外形尺寸，是根據(jù)國(guó)際電工委員會(huì)（IEC）第191號(hào)標(biāo)準(zhǔn)制定的，同時(shí)還參考了美國(guó)電子器件聯(lián)合工程協(xié)會(huì)（JEDEC）及半導(dǎo)體設(shè)備和材料國(guó)際組織（SEMI）的有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)目前我國(guó)集成電路技術(shù)和生產(chǎn)情況，已有半導(dǎo)體集成電路的13類封裝外形尺寸及膜集成電路和混合集成電路的14類封裝外形尺寸列入了國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。隨著技術(shù)的發(fā)展和生產(chǎn)的需要，將逐步增加新的內(nèi)容和項(xiàng)目，以便不斷地補(bǔ)充和完善。
7發(fā)展趨勢(shì)編輯
在較長(zhǎng)一段時(shí)期內(nèi)，集成電路封裝幾乎沒有多大變化，6～64根引線的扁平和雙列式封裝，基本上可以滿足所有集成電路的需要。對(duì)于較高功率的集成電路，則普遍采用金屬圓形和菱形封裝。但是隨著集成電路的迅速發(fā)展，多于64，甚至多達(dá)幾百條引線的集成電路愈來(lái)愈多。如日本40億次運(yùn)算速度的巨型計(jì)算機(jī)用一塊ECL．復(fù)合電路，就采用了462條引線的PGA。過去的封裝形式不僅引線數(shù)已逐漸不能滿足需要，而且也因結(jié)構(gòu)上的局限而往往影響器件的電性能。同時(shí)，整機(jī)制造也正在努力增加印制線路板的組裝密度、減小整機(jī)尺寸來(lái)提高整機(jī)性能，這也迫使集成電路去研制新的封裝結(jié)構(gòu)，新的封裝材料來(lái)適應(yīng)這一新的形勢(shì)。因此，集成電路封裝的發(fā)展趨勢(shì)大體有以下幾個(gè)方面：
1．表面安裝式封裝將成為集成電路封裝主流 集成電路的表面安裝結(jié)構(gòu)是適應(yīng)整機(jī)系統(tǒng)的需要而發(fā)展起來(lái)的，主要是因?yàn)殡娮釉O(shè)備的小型化和輕量化，要求組裝整機(jī)的電子元器件外形結(jié)構(gòu)成為片式，使其能平貼在預(yù)先印有焊料膏的印制線路板焊盤上，通過再流焊工藝將其焊接牢固。這種作法不僅能夠縮小電子設(shè)備的體積，減輕重量，而且這些元器件的引線很短，可以提高組裝速度和產(chǎn)品性能，并使組裝能夠柔性自動(dòng)化。
表面安裝式封裝一般指片式載體封裝、小外形雙列封裝和四面引出扁平封裝等形式，這類封裝的出現(xiàn)，無(wú)疑是集成電路封裝技術(shù)的一大進(jìn)步。
2．集成電路封裝將具有更多引線、更小體積和更高封裝密度
隨著超大規(guī)模和特大規(guī)模集成電路的問世，集成電路芯片變得越來(lái)越大，其面積可達(dá)7mm×7mm，封裝引出端可在數(shù)百個(gè)以上，并要求高速度、超高頻、低功耗、抗輻照，這就要求封裝必須具有低應(yīng)力、高純度、高導(dǎo)熱和小的引線電阻、分布電容和寄生電感，以適應(yīng)更多引線、更小體積和更高封裝密度的要求。
要想縮小封裝體積，增加引線數(shù)量．唯一的辦法就是縮小封裝的引線間距。一個(gè)40線的雙列式封裝要比68線的H式載體封裝的表面積大20%，其主要區(qū)別就是引線目距由2.54mm改變自1.27mm或1.00cmm。不難想像，如果引線間距進(jìn)而改變?yōu)?.80mm，O.65mm甚至0 50mm，則封裝的表面積還會(huì)太大地縮小。但是為了縮小引線間距，這勢(shì)必帶來(lái)了一系列新的目題，如印線精密制造就必須用光致腐蝕的蝕刻工藝來(lái)代替機(jī)械模具的沖制加工，并必須解決引線間距縮小所引起的引線間絕緣電阻的降低和分步電容的增大等各個(gè)方面研究課題。
集成電路芯片面積增大，通常其相應(yīng)封裝面積也在加大，這就對(duì)熱耗散問題提出了新的挑戰(zhàn)。這個(gè)問題是一個(gè)綜臺(tái)性的，它不僅與芯片功率、封裝材料、封裝結(jié)構(gòu)的表面積和最高結(jié)溫有關(guān)，還與環(huán)境溫度和冷玲方式等有關(guān)，這就必須在材料的選擇、結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和冷卻的手段等方面作出新的努力。
3.塑料封裝仍然是集成自路的主要封裝形式
塑料模塑封裝具有成本低、工藝簡(jiǎn)單和便于自動(dòng)化生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，雖然在軍用集成電路標(biāo)準(zhǔn)中明文規(guī)定，封裝結(jié)構(gòu)整體不得使用任何有機(jī)聚合物材料，但是目前在集成電路總量中，仍有85%以上采用塑料封裝。
塑料封裝與其他封裝相比，其缺點(diǎn)主要是它屬于非氣密或半氣密封裝，所以抗潮濕性能差，易受離子污染；同時(shí)熱穩(wěn)定性也不好，對(duì)電磁波不能屏蔽等，因而對(duì)于高可靠的集成電路不宜選用這種封裝形式。但是近幾年來(lái)，塑料封裝的模塑材料、引線框架和生產(chǎn)工藝已經(jīng)不斷完善和改進(jìn)，可靠性也已大大提高，相信在這個(gè)基礎(chǔ)上，所占封裝比例還會(huì)繼續(xù)增大。
4.直接粘結(jié)式封裝將取得更大發(fā)展
集成電路的封裝經(jīng)過插入式、表面安裝式的變革以后，一種新的封裝結(jié)構(gòu)—直接粘結(jié)式已經(jīng)經(jīng)過研制、試用達(dá)到了具有商品化的價(jià)值，并且取得了更大的發(fā)展，據(jù)國(guó)際上預(yù)測(cè)，直接粘結(jié)式封裝在集成電路中所占比重將從1990年的8%上升至2000年的22%，這一迅速上升的勢(shì)頭，說明了直接粘結(jié)式封裝的優(yōu)點(diǎn)和潛力。
所謂直接粘結(jié)式封裝就是將集成電路芯片直接粘結(jié)在印制線路板或覆有金屬引線的塑料薄膜的條帶上，通過倒裝壓焊等組裝工藝，然后用有機(jī)樹脂點(diǎn)滴形加以覆蓋。當(dāng)前比較典型的封裝結(jié)構(gòu)有芯片板式封裝（COB）、載帶自動(dòng)焊接封裝（TAB）和倒裝芯片封轉(zhuǎn)（FLIPCHIP）等樹種，而其中COB封裝和TAB封裝已經(jīng)大量使用于音樂、語(yǔ)音、鐘表程控和照相機(jī)快門等直接電路。
直接粘結(jié)式封裝其所以能夠迅速發(fā)展，最重要的因素是它能適用于多引線、小間距、低成本的大規(guī)模自動(dòng)化或半自動(dòng)化生產(chǎn)，并且簡(jiǎn)化了封裝結(jié)構(gòu)和組裝工藝。例如COB封裝不再使用過去的封裝所必需的金屬外引線；TAB封裝采用倒裝壓焊而不再使用組裝工藝必須的內(nèi)引線鍵合。這樣，一方面減少了鍵合的工作量，另一方面因減少引線的壓焊點(diǎn)數(shù)而提高了集成電路的可靠性。
在我國(guó)COB封裝已經(jīng)大量生產(chǎn)，而TAB封裝尚處于開發(fā)階段，相信在今后的集成電路中，這類封裝會(huì)占據(jù)一定的地位和取得更大的發(fā)展。
5. 功率集成電路封裝小型化已成為可能
功率集成電路的封裝結(jié)構(gòu)，受封裝材料的導(dǎo)熱性能影響，造成封裝體積較大而與其他集成電路不相匹配，已成為人們關(guān)注的問題之一，而關(guān)鍵所在是如何采用新的封裝材料。
功率集成電路所用的封裝材料，不僅要求其導(dǎo)熱性能好，而且也要求線膨脹系數(shù)低，并具備良好的電氣性能和機(jī)械性能。隨著科學(xué)的進(jìn)步，一些新的材料已經(jīng)開始應(yīng)用到集成電路方面來(lái)，如導(dǎo)熱性能接近氧化鈹（BeO）線膨脹系數(shù)接近硅（Si）的新陶瓷材料—氮化鋁（AlN），將成為功率集成電路封裝結(jié)構(gòu)的主體材料，從而大大地縮小了體積和改善了電路的性能，相信將來(lái)還會(huì)有更多的新材料參與到這一領(lǐng)域中來(lái)，使功率集成電路能進(jìn)一步縮小體積。
另外，采用氟利昂小型制冷系統(tǒng)對(duì)功率集成電路進(jìn)行強(qiáng)制冷卻，以降低其表面環(huán)境溫度來(lái)解決封裝的功耗，已在一些大型計(jì)算機(jī)中得到實(shí)現(xiàn)。這樣在改變封裝結(jié)構(gòu)的外形設(shè)計(jì)、使用新的封裝材料的同時(shí)，再改善外部冷卻條件，那么集成電路的熱性能就可取得更大的改善。
8IC封裝編輯
1、BGA(ball grid array)
球形觸點(diǎn)陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用 以 代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也 稱為凸 點(diǎn)陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不 用擔(dān)心QFP 那樣的引腳變形問題。 該封裝是美國(guó)Motorola 公司開發(fā)的，首先在便攜式電話等設(shè)備中被采用，今后在美國(guó)有可能在個(gè)人計(jì)算機(jī)中普及。最初，BGA 的引腳(凸點(diǎn))中心距為1.5mm，引腳數(shù)為225?，F(xiàn)在 也有 一些LSI 廠家正在開發(fā)500 引腳的BGA。 BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查?，F(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認(rèn)為,由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩(wěn)定的，只 能通過功能檢查來(lái)處理。 美國(guó)Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)
帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個(gè)角設(shè)置突起(緩沖墊) 以 防止在運(yùn)送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國(guó)半導(dǎo)體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中 采用 此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84 到196 左右(見QFP)。
3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面貼裝型PGA 的別稱(見表面貼裝型PGA)。
4、C－(ceramic)
表示陶瓷封裝的記號(hào)。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實(shí)際中經(jīng)常使用的記號(hào)。
5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP(數(shù)字信號(hào)處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM 以及內(nèi)部帶有EPROM 的微機(jī)電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數(shù)從8 到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad
表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的Cerquad 用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32 到368。
7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)
帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機(jī)電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。
8、COB(chip on board)
板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用 樹脂覆 蓋以確?？煽啃?。雖然COB 是最簡(jiǎn)單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB 和 倒片 焊技術(shù)。
9、DFP(dual flat package)
雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現(xiàn)在已基本上不用。
10、DIC(dual in-line ceramic package)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).
11、DIL(dual in-line)
DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。
12、DIP(dual in-line package)
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加 區(qū)分， 只簡(jiǎn)單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。
13、DSO(dual small out-lint)
雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。
14、DICP(dual tape carrier package)
雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于 利 用的是TAB(自動(dòng)帶載焊接)技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動(dòng)LSI，但多數(shù)為 定制品。 另外，0.5mm 厚的存儲(chǔ)器LSI 簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機(jī) 械工 業(yè))會(huì)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，將DICP 命名為DTP。
15、DIP(dual tape carrier package)
同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)DTCP 的命名(見DTCP)。
16、FP(flat package)
扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采 用此名稱。
17、flip-chip
倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI 芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn)，然后把金屬凸 點(diǎn) 與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有 封裝技 術(shù)中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI 芯片不同，就會(huì)在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可 靠 性。因此必須用樹脂來(lái)加固LSI 芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。
18、FQFP(fine pitch quad flat package)
小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采 用此名稱。
19、CPAC(globe top pad array carrier)
美國(guó)Motorola 公司對(duì)BGA 的別稱(見BGA)。
20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
帶保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹脂保護(hù)環(huán)掩蔽，以防止彎曲變 形。 在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護(hù)環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。 這種封裝 在美國(guó)Motorola 公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)最多為208 左右。
21、H-(with heat sink)
表示帶散熱器的標(biāo)記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。
22、pin grid array(surface mount type)
表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長(zhǎng)約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列狀的引腳，其長(zhǎng)度從1.5mm 到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊PGA。因?yàn)橐_中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可制作得 不 怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多(250～528)，是大規(guī)模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實(shí)用化。
23、JLCC(J-leaded chip carrier)
J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半 導(dǎo)體廠家采用的名稱。
24、LCC(Leadless chip carrier)
無(wú)引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個(gè)側(cè)面只有電極接觸而無(wú)引腳的表面貼裝型封裝。是 高 速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFN－C(見QFN)。
25、LGA(land grid array)
觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。裝配時(shí)插入插座即可?，F(xiàn) 已 實(shí)用的有227 觸點(diǎn)(1.27mm 中心距)和447 觸點(diǎn)(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應(yīng)用于高速 邏輯 LSI 電路。 LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻 抗 小，對(duì)于高速LSI 是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜，成本高，現(xiàn)在基本上不怎么使用 。預(yù)計(jì) 今后對(duì)其需求會(huì)有所增加。
26、LOC(lead on chip)
芯片上引線封裝。LSI 封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片 的 中心附近制作有凸焊點(diǎn)，用引線縫合進(jìn)行電氣連接。與原來(lái)把引線框架布置在芯片側(cè)面 附近的 結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm 左右寬度。
27、LQFP(low profile quad flat package)
薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)根據(jù)制定的新QFP 外形規(guī)格所用的名稱。
28、L－QUAD
陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發(fā)的一種 封裝， 在自然空冷條件下可容許W3的功率?，F(xiàn)已開發(fā)出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的LSI 邏輯用封裝，并于1993 年10 月開始投入批量生產(chǎn)。
29、MCM(multi-chip module)
多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可 分 為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。 MCM－L 是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低 。 MCM－C 是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無(wú)明顯差別。布線密度高于MCM－L。
MCM－D 是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組 件。 布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。
30、MFP(mini flat package)
小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。
31、MQFP(metric quad flat package)
按照J(rèn)EDEC(美國(guó)聯(lián)合電子設(shè)備委員會(huì))標(biāo)準(zhǔn)對(duì)QFP 進(jìn)行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標(biāo)準(zhǔn)QFP(見QFP)。
32、MQUAD(metal quad)
美國(guó)Olin 公司開發(fā)的一種QFP 封裝?；迮c封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5W～2.8W 的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993 年獲得特許開始生產(chǎn) 。
33、MSP(mini square package)
QFI 的別稱(見QFI)，在開發(fā)初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。
34、OPMAC(over molded pad array carrier)
模壓樹脂密封凸點(diǎn)陳列載體。美國(guó)Motorola 公司對(duì)模壓樹脂密封BGA 采用的名稱(見 BGA)。
35、P－(plastic)
表示塑料封裝的記號(hào)。如PDIP 表示塑料DIP。
36、PAC(pad array carrier)
凸點(diǎn)陳列載體，BGA 的別稱(見BGA)。
37、PCLP(printed circuit board leadless package)
印刷電路板無(wú)引線封裝。日本富士通公司對(duì)塑料QFN(塑料LCC)采用的名稱(見QFN)。引
腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規(guī)格。目前正處于開發(fā)階段。
38、PFPF(plastic flat package)
塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家采用的名稱。
39、PGA(pin grid array)
陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都 采 用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數(shù)為陶瓷PGA，用于高速大規(guī)模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從64 到447 左右。 了為降低成本，封裝基材可用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PG A。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝 型PGA)。
40、piggy back
馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關(guān)與DIP、QFP、QFN 相似。在開發(fā)帶有微機(jī)的設(shè) 備時(shí)用于評(píng)價(jià)程序確認(rèn)操作。例如，將EPROM 插入插座進(jìn)行調(diào)試。這種封裝基本上都是 定制 品，市場(chǎng)上不怎么流通。
41、PLCC(plastic leaded chip carrier)
帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形 ， 是塑料制品。美國(guó)德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用，現(xiàn)在已經(jīng) 普 及用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18 到84。 J 形引腳不易變形，比QFP 容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。 PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以前，兩者的區(qū)別僅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但現(xiàn) 在已經(jīng)出現(xiàn)用陶瓷制作的J 形引腳封裝和用塑料制作的無(wú)引腳封裝(標(biāo)記為塑料LCC、PC LP、P －LCC 等)，已經(jīng)無(wú)法分辨。為此，日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)于1988 年決定，把從四側(cè)引出 J 形引 腳的封裝稱為QFJ，把在四側(cè)帶有電極凸點(diǎn)的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)。
42、P－LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
有時(shí)候是塑料QFJ 的別稱，有時(shí)候是QFN(塑料LCC)的別稱(見QFJ 和QFN)。部分
LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝，用P－LCC 表示無(wú)引線封裝，以示區(qū)別。
43、QFH(quad flat high package)
四側(cè)引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP 本體制作得 較厚(見QFP)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。
44、QFI(quad flat I-leaded packgac)
四側(cè)I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個(gè)側(cè)面引出，向下呈I 字 。 也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進(jìn)行碰焊連接。由于引腳無(wú)突出部分，貼裝占有面 積小 于QFP。 日立制作所為視頻模擬IC 開發(fā)并使用了這種封裝。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18 于68。
45、QFJ(quad flat J-leaded package)
四側(cè)J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個(gè)側(cè)面引出，向下呈J 字形 。 是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。引腳中心距1.27mm。
材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數(shù)情況稱為PLCC(見PLCC)，用于微機(jī)、門陳列、 DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數(shù)從18 至84。
陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPROM 以及 帶有EPROM 的微機(jī)芯片電路。引腳數(shù)從32 至84。
46、QFN(quad flat non-leaded package)
四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一?，F(xiàn)在多稱為L(zhǎng)CC。QFN 是日本電子機(jī)械工業(yè) 會(huì)規(guī)定的名稱。封裝四側(cè)配置有電極觸點(diǎn)，由于無(wú)引腳，貼裝占有面積比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，當(dāng)印刷基板與封裝之間產(chǎn)生應(yīng)力時(shí)，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點(diǎn) 難于作到QFP 的引腳那樣多，一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當(dāng)有LCC 標(biāo)記時(shí)基本上都是陶瓷QFN。電極觸點(diǎn)中心距1.27mm。
塑料QFN 是以玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點(diǎn)中心距除1.27mm 外， 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。
47、QFP(quad flat package)
四側(cè)引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個(gè)側(cè)面引出呈海鷗翼(L)型?；挠?陶 瓷、金屬和塑料三種。從數(shù)量上看，塑料封裝占絕大部分。當(dāng)沒有特別表示出材料時(shí)， 多數(shù)情 況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數(shù)字 邏輯LSI 電路，而且也用于VTR 信號(hào)處理、音響信號(hào)處理等模擬LSI 電路。引腳中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規(guī)格。0.65mm 中心距規(guī)格中最多引腳數(shù)為304。 日本將引腳中心距小于0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但現(xiàn)在日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)對(duì)QFP 的外形規(guī)格進(jìn)行了重新評(píng)價(jià)。在引腳中心距上不加區(qū)別，而是根據(jù)封裝本體厚度分為 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。
另外，有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP，至使名稱稍有一些混亂 。 QFP 的缺點(diǎn)是，當(dāng)引腳中心距小于0.65mm 時(shí)，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現(xiàn)已 出現(xiàn)了幾種改進(jìn)的QFP 品種。如封裝的四個(gè)角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP)；帶樹脂 保護(hù) 環(huán)覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP)；在封裝本體里設(shè)置測(cè)試凸點(diǎn)、放在防止引腳變形的專 用夾 具里就可進(jìn)行測(cè)試的TPQFP(見TPQFP)。 在邏輯LSI 方面，不少開發(fā)品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數(shù)最多為348 的產(chǎn)品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqa d)。
48、QFP(FP)(QFP fine pitch)
小中心距QFP。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(見QFP)。
49、QIC(quad in-line ceramic package)
陶瓷QFP 的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見QFP、Cerquad)。
50、QIP(quad in-line plastic package)
塑料QFP 的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見QFP)。
51、QTCP(quad tape carrier package)
四側(cè)引腳帶載封裝。TCP 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個(gè)側(cè)面引出。是利 用 TAB 技術(shù)的薄型封裝(見TAB、TCP)。
52、QTP(quad tape carrier package)
四側(cè)引腳帶載封裝。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)于1993 年4 月對(duì)QTCP 所制定的外形規(guī)格所用 的 名稱(見TCP)。
53、QUIL(quad in-line)
QUIP 的別稱(見QUIP)。
54、QUIP(quad in-line package)
四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個(gè)側(cè)面引出，每隔一根交錯(cuò)向下彎曲成四列。引腳 中 心距1.27mm，當(dāng)插入印刷基板時(shí)，插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標(biāo)準(zhǔn)印刷線路板 。是 比標(biāo)準(zhǔn)DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在臺(tái)式計(jì)算機(jī)和家電產(chǎn)品等的微機(jī)芯片中采 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數(shù)64。
55、SDIP (shrink dual in-line package)
收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP 相同，但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm)，
因而得此稱呼。引腳數(shù)從14 到90。也有稱為SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料兩種。
56、SH－DIP(shrink dual in-line package)
同SDIP。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。
57、SIL(single in-line)
SIP 的別稱(見SIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多采用SIL 這個(gè)名稱。
58、SIMM(single in-line memory module)
單列存貯器組件。只在印刷基板的一個(gè)側(cè)面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插 座 的組件。標(biāo)準(zhǔn)SIMM 有中心距為2.54mm 的30 電極和中心距為1.27mm 的72 電極兩種規(guī)格 。 在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ 封裝的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已經(jīng)在個(gè)人 計(jì)算機(jī)、工作站等設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用。至少有30～40%的DRAM 都裝配在SIMM 里。
59、SIP(single in-line package)
單列直插式封裝。引腳從封裝一個(gè)側(cè)面引出，排列成一條直線。當(dāng)裝配到印刷基板上時(shí) 封 裝呈側(cè)立狀。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從2 至23，多數(shù)為定制產(chǎn)品。封裝的形 狀各 異。也有的把形狀與ZIP 相同的封裝稱為SIP。
60、SK－DIP(skinny dual in-line package)
DIP 的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統(tǒng)稱為DIP(見 DIP)。
61、SL－DIP(slim dual in-line package)
DIP 的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統(tǒng)稱為DIP。
62、SMD(surface mount devices)
表面貼裝器件。偶爾，有的半導(dǎo)體廠家把SOP 歸為SMD(見SOP)。
63、SO(small out-line)
SOP 的別稱。世界上很多半導(dǎo)體廠家都采用此別稱。(見SOP)。
64、SOI(small out-line I-leaded package)
I 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側(cè)引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。貼裝占有面積小于SOP。日立公司在模擬IC(電機(jī)驅(qū)動(dòng)用IC)中采用了此封裝。引 腳數(shù) 26。
65、SOIC(small out-line integrated circuit)
SOP 的別稱(見SOP)。國(guó)外有許多半導(dǎo)體廠家采用此名稱。
66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)
J 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側(cè)引出向下呈J 字形，故此 得名。 通常為塑料制品，多數(shù)用于DRAM 和SRAM 等存儲(chǔ)器LSI 電路，但絕大部分是DRAM。用SO J 封裝的DRAM 器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從20 至40(見SIMM )。
67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)
按照J(rèn)EDEC(美國(guó)聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì))標(biāo)準(zhǔn)對(duì)SOP 所采用的名稱(見SOP)。
68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)
無(wú)散熱片的SOP。與通常的SOP 相同。為了在功率IC 封裝中表示無(wú)散熱片的區(qū)別，有意 增添了NF(non-fin)標(biāo)記。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見SOP)。
69、SOF(small Out-Line package)
小外形封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷兩種。另外也叫SOL 和DFP。
SOP 除了用于存儲(chǔ)器LSI 外，也廣泛用于規(guī)模不太大的ASSP 等電路。在輸入輸出端子不 超過10～40 的領(lǐng)域，SOP 是普及最廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從8 ～44。
另外，引腳中心距小于1.27mm 的SOP 也稱為SSOP；裝配高度不到1.27mm 的SOP 也稱為 TSOP(見SSOP、TSOP)。還有一種帶有散熱片的SOP。
70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype))
寬體SOP。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。
71、COB(Chip On Board)
通過bonding 將IC裸片固定于印刷線路板上。也就是是將芯片直接粘在PCB上用引線鍵合達(dá)到芯片與PCB的電氣聯(lián)結(jié)然后用黑膠包封。COB的關(guān)鍵技術(shù)在于Wire Bonding（俗稱打線）及Molding（封膠成型），是指對(duì)裸露的機(jī)體電路晶片(IC Chip)，進(jìn)行封裝，形成電子元件的制程，其中IC藉由焊線(Wire Bonding)、覆晶接合(Flip Chip)、或卷帶接合(Tape Automatic Bonding；簡(jiǎn)稱（TAB)等技術(shù)，將其I/O經(jīng)封裝體的線路延伸出來(lái)。
72、COG(Chip on Glass)
國(guó)際上正日趨實(shí)用的COG(Chip on Glass)封裝技術(shù)。對(duì)液晶顯示(LCD)技術(shù)發(fā)展大有影響的封裝技術(shù)。
